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실험중 V ,V 값을 일정한 시간동안 측정하는게 좀 힘들었다. 220(㎌)커패시터가 없어서 330(㎌)커패시터를 사용해서 예비이론 에 나온 값과 정확한 값을 비교 할수가 없었지만 330(㎌)커패시터로 측정해도 거의 비슷한 값이 나왔다. 1.실험 목
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실험을 통해서 다시 한 번 실험에서 예비리포트의 중요성을 확인할 수 있었습니다. 그리고 왜 실험하기 전 실험에서 사용하는 칩의 data sheet를 확인하는 일이 중요한지도 깨달게 되었습니다.
항상 느끼는 점이지만 정말 전자회로 실험을 통해
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실험에서는 먼저 기본 전류 미러 회로를 구성하고 출력 전류를 측정한 후, 캐스코드 회로로 확장하여 비교하였다. 각 회로의 전류 및 전압 변화를 측정하면서 출력 임피던스를 계산하였고, 캐스코드 전류 미러가 출력 전압 변화에 대해 더 큰
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회로 구성의 이해는 전기 및 전자 공학 분야에서 필수적인 요소이기 때문이다. 1. 서론
2. 실험 개요
1) 공통 베이스 직류 바이어스 설정
2) 공통 베이스의 교류 전압 이득 평가
3) 입력 임피던스 Z_i의 분석
4) 출력 임피던스 Z_out의 측정
5)
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서론
2. 실험 설계 및 결과
2.1 회로 구성 및 저감쇠 특성 분석
2.2 임계감쇠 특성 확인 및 오차 분석
2.3 과감쇠 특성 평가 및 조건 검토
2.4 정현파 입력에 따른 전압 및 위상차 분석
2.5 LC 회로 구성 및 공진주파수 측정
3. 결론
4. 감사의 글
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측정한다 할지라도 그것을 측정하는 외부 환경(온도, 습도 등)에 따라 약간의 기계적오차가 발생할 수도 있고, 중간에 다른 누군가가 원래 실험자가 사용하려는 설정과 다르게 오실로스코우프를 조작했을 수도 있다. 또한 10X형프로브를 사용
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회로기판)
와의 접합기술을 말한다.
※ SMD CHIP부품의 경우 보통 사용되어 지는 부품은
3225 : 3.2 X 2.5 mm
3216 : 3.2 X 1.6 mm
20125(2012) : 2.0 X 1.25 mm
1608 : 1.6 X 0.8 mm
1005 : 1.0 X 0.5 mm
0804 : 0.8 X 0.4 mm
0603 : 0.6 X 0.3 mm
정도이다.
8. 보고사항
첨해보는 실험 아직
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실험의 목표
2. 이론적 배경
3. 필요한 장비
4. 실험 절차
1) 공통 베이스 전압 설정
2) 공통 베이스의 전압 증폭 측정
3) 공통 베이스 입력 저항 분석
4) 공통 베이스 출력 저항 분석
5) 이미터 팔로어 전압 설정
6) 이미터 팔로어 전압 증폭
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회로 설계는 실험(5)와 밀접한 관련이 있습니다.
준비문제 (5)를 해결한 후,
실험 (5)의 1), 2)번도 미리 풀어서 예비보고서에 포함하시기 바랍니다.
⇒다음 page 에 hand analysis 로 작성하였습니다.
(6) 다음 회로는 구형파를 발생하는 회로이다. 구형
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실험 결과를 이용하여 설명하시오.
-> 의 경우 (측정값)=(계산값)
의 경우 (측정값)=(계산값)
실험 결과를 작성하면서 구한 의 계산값들은 실제 측정값 사이에 큰 오차가 발생하지 않았다.
5. 위상각 을 구할 때 발생할 수 있는 오차에 대하여
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