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측정값을 비교한다.
데브난의 정리(Thevenin’s Theorem)를 실험적으로 증명한다.
노튼의 정리(Norton’s Theorem)를 이해하고 이의 응용력을 키운다.
노튼의 정리를 실험적으로 증명한다. 1.제목
2.목적
3.실험환경
4.관련이론
5.시뮬레이
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측정해야 하는 의료장비 쪽의 특성을 고려하면 드리프트의 제거는 매우 가치있는 공학적 작업이 된다.
5.시뮬레이션
(1) CAD 프로그램을 이용하여 다음의 회로를 구성하라. 이 때, V3 는 VDC 을 이용하고 크기는 0V 로 하라.
(2)Time domain analysis를 수
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항복전압이 10V인 경우 VPS를 12V로 하고, 제너 항복전압이 12V인 경우에는 14V로 한다.
[그림 2-8]
2. VPS를 20V로 하고, VZ1을 측정한 후 다음 식으로 VR1을 계산하여라.
VR1 = VPS - VZ1단, VPS = 20V
3. 다음 식으로 IR1을 계산하여라.
IR1 = VR1 / R1단, R1 = 2.2㏀
4. V
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하라. 또, 전압계(DMM)의 위치를 명시하라.
3.3 를 구하는 실험회로를 그리고 실험절차를 설명하라. 저항계(DMM)의 위치를 명시하라.
그림 1 브리지회로에서 부분과 전압원을 제거한 후, 남은 부분 (a, b)에 전항 측정모드로 설정한 DMM에 연결한 후
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측정주파수를 각각에 대해 결정하라. (실험계획 3.2, 3.6 참조. 예 : 100, 200, 400, 600 ㎐ 등, 그러나 변화가 많은 부분에서는 주파수 간격을 작게 해야 한다.)
초기 30㎑까지 곡선이 급격히 변화하다가 그 이후로는 완만하게 변한다.
[ 그림을 보고 파
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측정한다.
<임계각>
①굴절 실험 때와 반대로 반원형 프리즘의 둥근 면으로 광선이 입사하도록 하여 입사각을 증가시키며, 굴절광이 사라지기 시작하는 입사각까지 계속하여 임계각을 측정한다.
②굴절 실험에서 측정한 굴절률을 사용하
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측정한다. 원형이 아닌 경우에는 대각선 방향의 길이를 여러 번 측정해서 평균값을 얻는다.
7.참고문헌
https://terms.naver.com/entry.naver?docId=3537117&cid=60217&categoryId=60217
https://terms.naver.com/entry.naver?docId=4389681&cid=60217&categoryId=60217
https://terms.naver.com/ent
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철 공으로부터 보호하기 위하여 안전 안경을 착용한다.
공을 잡는 장치와 같은 높이의 탄동 진자 받침대에 포물체 발사 장치를 연결한다.
진자 받침대를 탁자 위에 두고, 흔들리지 않는지 점검한다.
강철 공의 무게를 측정하여 기록한다.
진자
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측정한다.
5. 베이스 전류를 각각 30μA, 40μA, 50μA로 증가시키며 과정 1~4를 반복한다. 측정된 컬렉터 전류 IC를 표에 기록한다.
6. 베이스 전류가 (10μA와 30μA), (30μA와 40μA), (40μA와 50μA)일 때의 베타(β)값을 계산하여 표에 기록한다.
② VCE 대 IC
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측정
시뮬레이션 예측에 따르면 ID 값이 상승하기 시작하는 Vt는 1.6V 근방이었다.
② NMOS의 I-V 특성 곡선
<VGS = 5V 일 때의 ID 곡선>
<VGS = 7V 일 때의 ID 곡선>
실험방법
<실험 부품 및 장비>
DC Power Source, Multimeter, 1kΩ 저항, 10kΩ 저항, 0.1u
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