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BJT (Bipolar Junction Transistor)
② BJT 동작 및 바이어스
③ 이미터, 컬렉터, 베이스 전류
④ 트랜지스터의 전류 이득
⑤ 평균 컬렉터 특성
⑥ 평균 컬렉터 특성(VCE-IC)을 결정하기 위한 시험 회로 : 점 대 점 방법
① 베타(β) 측정
② VCE 대 IC
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실험 3. 트랜지스터 증폭기 실험 17
1. 실험 목적 17
2. 기초이론 17
3. 예비 보고서 21
4. 실험기자재 및 부품 21
5. 실험방법 및 순서 22
6. 실험결과 23
실험 4. FET특성 및 증폭기 28
1. 실험 목적 28
2. 기초이론 28
3. 예비 보고서 33
4.
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BJT 회로의 소신호 증폭도 측정
10. 입력 Vin에 연결된 신호 발생기를 1kHz에서 1V의 DC 전압을 가지면서 500mVpp의 진폭을 갖는 정현파 출력을 가지도록 조정한다. 전원 전압 VCC는 12V로 고정하여 사용한다.
11. 과정 10에서 측정된 값을 이용하여 소신
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구형파는 PSPICE에서 VPULSE를 이용하고 V1=-5, V2=5, TD=0, TR=1P, TF=1P, PW=0.05m, PER=0.1m로 놓아라).
슬루율 : 전자회로실험 예비보고서
2장. 연산 증폭기의 비이상적 특성
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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특성 곡선
<VGS = 5V 일 때의 ID 곡선>
<VGS = 7V 일 때의 ID 곡선>
실험방법
<실험 부품 및 장비>
DC Power Source, Multimeter, 1kΩ 저항, 10kΩ 저항, 0.1uF 커패시터, HEF4007UB
<실험 과정 - Vt 측정>
1. HEF4007UBP를 이용하여 옆의 회로를 꾸민다.
2. VD
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