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질의 광학 및 전기적 성질에 큰 영향을 주기 때문이다. 이에 반도체 양자점의 경우 밴드갭을 가로지르는 광학적 전이나 전기적 전이 성질에 많은 변화가 나타난다. 반도체 양자점으 동일한 bulk물질의 성질과는 다른 광학적 특성을 보이며 크
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양자점(quantum dot)\"구조이다.
양자점은 개개의 전자를 담을 수 있는 미세공간으로 20nm의 크기를 갖는다. 따라 서 하나의 핀머리에 수십억개의 양자점을 올려놓을 수 있다. 과학자들의 궁극적인 핵심 연구과제는 양자점을 이용해 단일전자의
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양자점(quantum dot)\"구조이다.
양자점은 개개의 전자를 담을 수 있는 미세공간으로 20nm의 크기를 갖는다. 따라 서 하나의 핀머리에 수십억개의 양자점을 올려놓을 수 있다. 과학자들의 궁극적인 핵심 연구과제는 양자점을 이용해 단일전자의 흐
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양자점(quantum dot)\"구조이다.
양자점은 개개의 전자를 담을 수 있는 미세공간으로 20nm의 크기를 갖는다. 따라서 하나의 핀머리에 수십억개의 양자점을 올려놓을 수 있다. 과학자들의 궁극적인 핵심 연구과제는 양자점을 이용해 단일전자의 흐
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양자점을 이용한 종양분석
양자점(Quantum Dots)은 나노미터 크기의 반도체(CdSe 코어에 ZnS 껍질을 입힌) 결정으로 만들어진 발광입자이다. 이 양자점은 기존의 염색물질이나 형광단백질로서는 불가능한 여러 분야에서 활용이 가능한 특성을 가지
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랜지스터 개발입니다. 이를 위해 다음과 같은 세부 목표를 설정했습니다.
- 높은 이동도를 가진 양자점 제작
- 양자점 트랜지스터의 게이트 제어 기술 개발
- 양자점 트랜지스터를 이용한 논리 회로 구현
○ 연구 방법
본 연구를 진행하기 위해
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양자점 크기/결정성 제어를 통한 발광 파장 480~640nm 조정 기술 보유
ㆍTEM, PLQY, TGA, UV-Vis, XPS, ICP 등 분석 및 수명 테스트 경험
ㆍ고객사 대응: 스펙 정의, 패널 적용 시나리오 검토, 샘플 대응 및 기술자료 작성
[주요 성과]
ㆍInP 기반 Cd-free QD 개
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