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Abrupt Heterojunction
서로 다른 물질을 mole fraction
조절 없이 접합한 구조
Spike에 의한 높은 전위언덕
낮은 Emitter 주입효율
Collector Current가 작다
Graded Heterojunction
접합지점에서 접합의 경계면
까지 mole fraction을 변화
Ab
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에미터 접지(CE) 증폭기
▶ 에미터 저항을 가진 CE 증폭기
▶ 에미터 폴로워 : CC 증폭기
▶ BJT증폭기의 비교
2) 고입력 저항 회로
▶ 부우트스트랩 회로 : 고입력 임피던스 회로
3) 바이어스 회로 및 열적 안정
4) 고주파 트랜지스터
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에미터단에 330Ω의 저항을 하나 추가한 회로이다. 그렇기 때문에 Gain값이 떨어 졌음을 알 수 있다.
이것은 위의 회로 <13-3>회로의 중역 주파수에서 Gain 값이 약 11인 반면에 <13-4>회로의 중역 주파수에서 Gain 값은 약 9로 작아졌다는 사
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에미터의 전압을 측정하면 =0.7371, =0, =-0.7V가 된다.
베이스 접지 증폭기에서 입력 저항 이고 이므로 =0.035이므로 =28.6Ω이고 실험에서 =4.7kΩ이므로 입력 저항을 계산하면 =28.4Ω이다. 출력 저항은 이므로 =4.7kΩ이다.
전압 이득은 이므로 계산하면
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