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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습
-예비레포트-
8. 논리함수와 게이트
1. 실습목적
2. 설계실습 계획서
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<인류 첫 혜성탐사선 로
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가열하여 나프탈렌을 녹이고 (온도계가 100도 눈금 온도계이면 온도가 100도 이상 되어서는 안 되니 주의 해야 한다. 이때는 물중탕을 이용해서 녹이는 것이 안전하다.) 종이에 녹은 나프탈렌을 붓고 종이를 잘 싼 후 고체 시약 버리는 속에 버
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3. minitab mixture design을 사용, SiO
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일정할 때)
1.물체의 질량을 재어 기록한다.
2.그림 1처럼 물체를 세로기둥에 매달고, 한쪽 고리는 중심기둥의 용수철에, 반대쪽 고리는 회전대의 끝에 있는 도르래를 통해 질량이 정해진 추에 매단다.
3.세로기둥의 위치를 고정시키고, 물체
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▶실험 목적
도선에 전류가 흐를 때 그 주변에 발생하는 자기장의 형태에 대해서 알아보자.
▶이론
서로 떨어져 있는 도선 사이에 힘(자기력)을 미치는 자기 현상은 먼저 한 전류에 의해 주위 공간에 자기마당이 형성되고, 이 자기마당 내에
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낮은 주파수 성분이나 직류성분까지 증폭해야할 때 사용한다. 한 증폭단의 컬렉터를 다음 단의 베이스에 직접연결한다. 한 증폭단의 직류 전압과 전류에 변화가 생기면 다른 증폭단의 직류전압과 전류에도 변화가 있다.
3) BJT-JTEF
**기초적 이
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-이미터 바이어스 회로
실험의 첫번째 회로인 이미터 바이어스 구조는 단일 또는 이중 전원공급장치를 사용하여 구성될 수 있다. 두 구조 모두 실험 9의 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. 특히 이미터 저항에 트랜지스터의 β를
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표지 양식
년도-학기
2020 년 2학기
과목명
전자회로실험
LAB번호
제목
1
BJT의 고정 바이어스 및 전압분배 바이어스
실험 일자
2020년 9월 30일
제출자 이름
제출자 학번
Chapter 1. 관련 이론
- 바이폴라 트랜지스터는 차단, 포화, 선형의 3가지 모드로
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의 드레인 포화전류는 라고 표시하며, , ,의 사이에서
의 관계가 성립된다. FET의 3정수인 증폭정수 μ, 드레인저항 , 상호컨덕턴스 은 다음과 같이 정의 된다.
Common Source의 경우에 대해서만 실험하며 CS에 대한 회로를 보면
<그림1. 소스공통 FE
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수에 대한 그래프
; 입력 RC 회로에 대한 증폭기의 저주파 응답곡선.
b) ㏈/octave : 주파수의 두배 또는 절반에 대응.
ex) f가 100㎐에서 200㎐로 증가 : 1 옥타브.
f가 100㎐에서 50㎐로 감소 : 1 옥타브.
-20㏈/decade -6㏈/octave
-40㏈/decade -12㏈/octave
(4) 입
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