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트랜지스터는 다른 Q점의 전압과 전류의 값을 갖는다는 것을 알 수 있을 것이다. 더불어 직류 전류 이득에 차이가 있음을 알 수 있을 것이다.
결 론
이 실험에서는 두 개의 전원을 사용한 이미터 바이어스된 회로에서의 전압과 전류를 확인하
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실험 5장에서의 직류동작점 , 이미터 바이어스 가 참고 자료 였으나 참고를 하려 해도 반도체 물성과 소자, 전자회로 같은 수업을 듣지 않았기 때문에 전체적인 실험의 큰 맥락은 이해가 되질 않았다. 하지만 반도체, 트랜지스터를 구동시키기
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바이어스하기 위해 필요한 전압은 이제 두 실리콘 다이오드의 전압강하에 의해 공급되고 두 실리콘 다이오드 또한 순방향바이어스된다.
7. VOM 또는 DMM으로 각각 접지에 대한 트랜지스터의 직류 베이스 1, 베이스 2, 이미터전압을 측정하여 표 2
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실험을 하다보니 자연스럽게 트랜지스터를 배우는데 많은 도움이 되었다. 1 Pre-Lab(예비실험): 기본 이론 조사
2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
3 Pre-Lab(예비실험): 실험 절차
4 Pre-Lab(예비실험): 검토 및 느낀점
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보고서 요약
2. 각 실험별 측정결과와 분석
1) NPN 트랜지스터의 값을 측정하기 위한 시험 회로
2) 바이어스 안정화
3) 이미터 바이패스 커패시터와 이득
4) CE 증폭기 임피던스와 전력 측정
5) CE 증폭기에서 입출력 위상 관계
3. 실험최종
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