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측정하여 기록하시오. ∴ = 1.201[mA]
(라) 를 계산하시오. ∴ =1.5Ω
(마) 를 계산하시오. ∴ 1.2kΩ*1.5Ω = 1.8kΩ
(바) (마)의 저항값을 으로 바꾼 후 (다)를 실시한다. 이때 전류값을 기록하시오.
∴ = 0[mA]
[추가질문]
- (다)의 실험 결과(A-B의 전류 측
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저항색띠 식별불가
※ 원서 솔루션의 답은
32.
33. GND에서 A까지의 전압을 측정한 값에서 GND에서 B까지의 전압 측정값을 뺀다
34.
35. I = 0A 이라는 것은 회로가 개방되었다는 것을 말한다.
의 전압강하가 0V 이고 에서 12V 의 전원전압이 나오는 것
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전압강하가 생긴다니 실험을 통해서 실감하게 된것같다.
이번 실험은 다른실험보다 편했던 것같습니다. 예전에 저항표를 나눠주었을때 어디에 쓰는 건가 했었는데 이번에 실험을 해보니 꽤 유용한 것 같습니다. 특히 처음에는 사용할 줄을
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전압법칙을 이해하는 실험으로 폐경로 내에 있는 각 소자에 걸리는 전압의 대수합은 0 즉, 전압강하의합 = 인가전합의합이 성립하는지를 실험을 통해 알아보는 실험 이었다.
전압원이 하나일 때 저항이 직렬로 연결된 회로와 두 개일때 저항
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전압을 인가하라.
※실험시 참고사항※
● Cds 셀 소자의 특성을알아보기 위한 실험(2중접지)
● 포토레지스터(저항값을 감소 시키는 소자)
● -15V를 인가할 때 별도의 전원 사용
a. 오실로스코프를 다음과 같이 고정하고 VREF, IL, VO를 측정하라.
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전압원은 단락회로, 전류원은
개방회로로 대치.
3.중첩 원리 적용 : R, L, C 등 선형소자에만 적용.
2)테브냉의 정리
1.테브냉의 정리 : 2개의 독립된 회로망을 접속하였을 때 전원회로를 하나의 전압원과 직 렬 저항으로 대치한다.
2. R0 : 전압원
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전압을 걸었을 때, R, L, C 각각에 흐르는 전류 파형의 위상과 최대값이 어떻게 되는지 알아보고, 또, RLC 회로에서의
공명현상을 관찰하고, 공명주파수를 실제로 측정하여 확인하는 실험이다.
도선 및 회로 연결 요소의 저항과 전원장치의 내부
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측정하는 방법을 설명하시오.
3상전력의 측정
① 1전력계법 : P=3P1 [W]
② 2전력계법 : P=P1 +P2 [W]
③ 3전력계법 : P=P1 +P2 +P3 [W]
평형회로는 물론 불평형 회로도 정확하게 측정이 가능.
1)1전력계법 : 1전력계법은 교류전력의 단상전력을 측정하는
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측정하는 방식으로 측정값을 결정하니 좀 더 수월하였고 결과도 좋았다. 실험 목적
▣ 결과 값 및 종합 검토/논의
2. 전압분배 바이어스 회로(베이스 저항이 없는 경우)
⓶ 회로 내의 모든 직류 전압강하를 계산하여라.
⓸ 계산값
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저항이 변함
ε＝ΔL/L(변형률)
휘트스톤 브릿지
► Strain Gauge의 저항 변화는 미소한 값이므로 휘스톤 브릿지 회로를 이용해서 전압으로 변환
≪ 그 림 ≫
키르히호프(Kirchhoff)제 2법칙
폐회로에서
기전력 = 전압강하&nbs
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