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저항 변화형 센서
- 스트레인 게이지의 원리
◇ “ 금속체에 외력을 가하면 변형된다 “ 는 원리
◇ 금속을 잡아당기면 늘어남과 동시에 가늘어져서 전기저항이 증가
◇ 금속을 압축하면 줄어듦과 동시에 굵어져 전기저항이 감
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철심의 이동거리가 출력이 0이 되는 근방에서만 작동시켜
선형성을 보장한 것이 LVDT
- 코어의 재질 : 순철, permalloy(저주파용), ferrite(훼라이트, 고주파용)
저항 ↑, 포화자속밀도 ↑, 투자율 ↑
- RVDT(rotary VDT) : 코어가 캠모양
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변화형
센서가 물리현상을 검출 할 때 그 출력이 저항, 인덕턴스, 리액턴스 등의 값으로 나타나는 것으로 측온저항체, 정전용량형 센서, 인덕턴스에 의한 자속측정 등이 이에 속한다.
2) 전압 출력형
센서의 출력이 전압으로 나오는 것으로
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저항 값의 변화를 원리로 한 측정기 이다. 저항은 온도와도 밀접하다. 따라서 측정온도가 이상 범위가 아닌 경우 그만큼 측정저항에 영향을 미칠 수 있다.
③ 재료에 여러 불순물이 섞여 있어 탄성계수(E)가 변할 수 있다. 따라서 더 정확한 측
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저항비로 10-100배에 달해 40％ 정도에 머무는 MRAM 등에 월등히 있으며 파괴적 재생방식을 취하느 FeRAM과 달리 재생횟수에 제한이 없을 뿐만 아니라 기록/소거회수 에서도 10과 12승 의 MRAM급 성능지수를 보인다. 양산성 측면에서도 PRAM 은 상변화
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