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이론 요약
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
☆ 반도체의 종류 ☆
☆ 다이오드 ☆
☆다이오드의 원리☆
2. 실험 결과
* 단진자의 질량 및 반지름
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
3. 분석 및 토의
A. 실험 결과 분석
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Diode에 흐르는 전류가 급격하게 증가하였음을 알 수 있다. 이러한 결과를 바탕으로 Si Diode의 무릎전압인 0.7V이상의 전압을 가 했을 때, 전류가 잘 도통 된다는 Diode의 특성을 파악 할 수 있다. 또한 Diode의 벌크저항으로 인해 그래프 상에 기울기
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다이오드와 도선, 회로사이의 접촉이 완전하지 않았던 점을 들 수 있겠다.
7) 참고문헌
일반물리학실험 / 장지익 / 초판 2003/ p163-169 / 전기저항(옴의 법칙 및 다이오드특성) 1) 실험목적
2) 실험이론
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
C. 키르
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저항이 0에 가까운 절연체이기 때문에 측정이 이루어 질 수가 없었다.
이번 실험으로 인해 저항값과 옴의 법칙에 대해 다시 한번 더 복습할 수 있는 시간 이였으며, 다이오드의 특성에 대해 알아보는 유익한 시간이였다.
4. 참 고 자 료
① 회로
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저항에 많은 전압이 걸리게 하여 상대적으로 다이오드에는 전압의 크기를 작아 다이오드를 보호하여야 했지만, 이번 실험에서는 가변 저항만을 사용하여 그 신뢰도가 크게 떨어졌다. 3-5 전기저항(옴의 저항, 다이오드 특성)
1. 목 적
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