|
전기 성막법
③ 양극 산화법
④ CVD (chemical vapor deposition)
⑤ 액상 에피탁시법
⑥ Langmuir-Bliogett막 형성법
⑦ 흡착방법
(2) 진공 증착
① 물리적 기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음
|
|
|
다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
|
|
|
터의 기능
3 컴퓨터 이전 시대(BC : Before Computer)
4 제 1 세대 컴퓨터(진공관, 1946 ~1958년)
5 제 2 세대 컴퓨터(트랜지스터, 1959~1963년)
6 제 3 세대 컴퓨터(집적회로, 1964~1969년)
7 제 4 세대 컴퓨터(1970년대 이후)- LSI
8 제 5 세대 컴퓨터(1986
|
|
|
터를 만드는 데 쓰는 반도체(실
리콘)는 특정 크기 이하로 작아지면 전기가 흐르지 않아 디지털 부품으로 이용
할 수 없는 것이다. 따라서 앞으로 극소형 나노 시대가 열리려면 반도체를 지금
보다 더 작은 사이즈로 줄여야 한다. 그런데 1년마
|
|
|
터를 만드는 데 쓰는 반도체(실리콘)는 특정 크기 이하로 작아지면
전기가 흐르지 않아 디지털 부품으로 이용할 수 없는 것이다. 따라서 앞으로 극소형 나노
시대가 열리려면 반도체를 지금보다 더 작은 사이즈로 줄여야 한다. 그런데 1년마
|
|
|
전기
o. 리모트 파워 소스
o. Self-powered 엔진 pre-heater, gas furnace, heater 등
o. 전기자동차용 에너지
o. 자동차, 트럭 등의 멀티내이터 대체
참고문헌
[1] http://www.zts.com : DARPA report
[2] 에너지 변환용 열전재료개발, 한국과학기술연구원, 1990.
[3] http://w
|
|
|
전기신호를 내는 트랜 지스터를 제조하는 데 있다. 이 연구가 결실을 맺게되면 반도체 제조방법에도 상상할 수 없는 변화가 이루어질 것이 확실하다. 반도체 용량은 기본적으로 트랜지스터의 집적 도에 달려있다. 따라서 양자점을 이용한 초
|
|
|
전기신호를 내는 트랜 지스터를 제조하는 데 있다. 이 연구가 결실을 맺게되면 반도체 제조방법에도 상상할 수 없는 변화가 이루어질 것이 확실하다. 반도체 용량은 기본적으로 트랜지스터의 집적 도에 달려있다. 따라서 양자점을 이용한 초
|
|
|
실험방법 및 순서 48
6. Simulation 50
7. 실험 결과 53
실험 6. 차동증폭기 55
1. 실험 목적 55
2. 기초이론 55
3. 실험기자재 및 부품 62
4. 실험방법 및 순서 62
5. Simulation 65
6. 실험 결과 67
실험 7. Op-Amp 기본 회로 69
1. 실험 목적 69
|
|
|
실험 16. 키르히호프 전압법칙(단일전원)
1.실험목적
2.관련이론
3.실험준비물
4.실험과정 Pspice로 구현
실험 17. 키르히호프 전류법칙
1.실험목적
2.관련이론
3.실험준비물
4.실험과정 Pspice로 구현
|
|
메뉴펼치기
