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계산값에 오차가 나지 않았나 생각한다.
이번실험 결과값은 만족스러웠다고 생각하고, 테브냉의 정리와 더불어 이번실험을 통해 복잡한 선형회로를 해석할 수 있는 능력을 가지게 되었다고 생각한다. 1. 실험 결과
2. 분석 및 토의
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법칙과 키르히호프법칙의 사용이 필요할 수도 있다.
노튼 저항 RN은 앞의 실험에서 테브닌 저항을 구할 때 사용했던 방법을 이용하여 다음과 같은 과정으로 구한다. 본래의 회로망에서 부하를 개방한다. 모든 전압원은 단락 시키고 내부저항
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회로상 어쩔수 없기 때문에 최대한 바늘이 낮은쪽으로 오게끔 한다음 읽는 것이 더 신뢰성 이 높다.
2. 아래의 탄소 저항기의 색 코드를 표시하시오.
(a) 0.27Ω, ⅟₂W, 5% 초록 / 검정 / 은색 / 금색
---> 색코드에 정격은 나오지
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실험에서 측정된 RN의 값은 538.1Ω이다. 역시 이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
본래의 회로망을 노튼 등가회로로 대체했을 때 부하를 통하여 흐르는 전류 IL은 다음과 같은 식을 통해 구할 수 있다.
IL = IN × (RN / (RN + RL))
따라서 위 회로
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회로도를 참조했을 때, 회로의 임의의 접합점에서의 유입전류와 유출전류는 서로 같음을 알 수 있다. 따라서 키르히호프의 전류법칙이 성립함을 실험적으로 입증하였다.
④ 지정된 조건을 만족하는 회로의 설계
※ 지정 조건
조건 1 → 회로
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실험값을 공식에 맞추어 계산만 하면 되는 실험이므로 자세한 분석은 생략한다.
④ 망로전류 계산에 대한 입증 실험
이 실험의 회로도는 다음과 같다.
회로도의 세 구역에서 가장 왼쪽에 흐르는 망로전류를 I1, 중앙에 흐르는 망로전류를 I2,
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회로의 총 커패시턴스 값이다.
이를 계산하면, 1 / (1150.45×2π×200) = 0.0692μF 이다.
세 값이 근사하므로, 직렬연결한 커패시터의 총 커패시턴스는
CT = C1 + C2 + C3 + …
임을 실험적으로 입증하였다. ① 커패시턴스의 직렬 연결
② 커패시턴스의
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.2kΩ, 3.3kΩ의 저항 두 개를 직렬로 연결하면 된다.(2200 + 3300 = 5500)
실험을 통해 회로의 전류를 측정한 결과 1.00mA의 값이 도출되었고, 이는 이론적으로 계산한 값과 일치한다. 따라서, 지정된 V와 I를 만족하는 회로를 설계하였음을 알 수 있다.
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가변저항기의 경우에 국한된다)
③ 회로의 직류전압 측정
전원 공급장치의 출력 전압이 15V가 되도록 하여 실험을 하였다. 따라서 15V의 전압을 측정하기 위해서는 전압 측정 범위가 15V 이상이어야만 한다.
가장 작은 전압 측정 범위인 2V 상태
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실험에 따라, 옴의 법칙을 이용해 I와 V값을 가지고 R값을 추론하는 방법은 정확함을 추론할 수 있다.
③ 지정된 전압, 전류 및 저항조건을 만족하는 병렬회로 설계
※ 전압 V로부터 전류 I를 생성하는 회로 설계
→ 만족시켜야 할 IT의 값은 20mA
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