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법칙과 키르히호프법칙의 사용이 필요할 수도 있다.
노튼 저항 RN은 앞의 실험에서 테브닌 저항을 구할 때 사용했던 방법을 이용하여 다음과 같은 과정으로 구한다. 본래의 회로망에서 부하를 개방한다. 모든 전압원은 단락 시키고 내부저항
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이물질을 제거 안해도 되지만 부식 이 되었다면 표면을 깨끗이 처리 후 납땜을 해야하며 코일일 경우에는 코일표면에 절연코팅처리가 되있으므로 칼이나 사포로 이를 제거한 후에만 납땜이 가능하다. 실험목적
이론적배경
결과
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실험치의 차이가 나게 측정이 되었는데, 실험 도중 발생하는 실험 도구가 아주 이상적인 도구를 사용(아주 정확한 측정기기와 저항이 없는 회로)하였다고 하면 이론치와 같게 측정되었을 것임.
소감
회로 구성 방법을 배울 수 있었음.
전압분
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회로의 는 회로에서 계산된 값과 같은 저항을 연결해야 하는데 이 때 회로에서 계산된 저항과 정확히 맞는 것이 없었음.
전류가 흐르면서 생기는 저항에 의한 열손실.
측정 장치 내부의 저항에 의한 오차 발생.
실험시 실험장치 사이의 접점
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따라서, 이론상의 내용과 실험적 오차가 발생함.
소감
Capacitor와 저항이 직렬로 연결된 회로에서 시간별로 감소하는 전압을 측정하는 실험.
기기사용에 익숙하지 않아 실험이 조금 어려웠음. 결과값
계산과정
그래프
오차원인
토의
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회로상 어쩔수 없기 때문에 최대한 바늘이 낮은쪽으로 오게끔 한다음 읽는 것이 더 신뢰성 이 높다.
2. 아래의 탄소 저항기의 색 코드를 표시하시오.
(a) 0.27Ω, ⅟₂W, 5% 초록 / 검정 / 은색 / 금색
---> 색코드에 정격은 나오지
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실험에서 측정된 RN의 값은 538.1Ω이다. 역시 이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
본래의 회로망을 노튼 등가회로로 대체했을 때 부하를 통하여 흐르는 전류 IL은 다음과 같은 식을 통해 구할 수 있다.
IL = IN × (RN / (RN + RL))
따라서 위 회로
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회로도를 참조했을 때, 회로의 임의의 접합점에서의 유입전류와 유출전류는 서로 같음을 알 수 있다. 따라서 키르히호프의 전류법칙이 성립함을 실험적으로 입증하였다.
④ 지정된 조건을 만족하는 회로의 설계
※ 지정 조건
조건 1 → 회로
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실험값을 공식에 맞추어 계산만 하면 되는 실험이므로 자세한 분석은 생략한다.
④ 망로전류 계산에 대한 입증 실험
이 실험의 회로도는 다음과 같다.
회로도의 세 구역에서 가장 왼쪽에 흐르는 망로전류를 I1, 중앙에 흐르는 망로전류를 I2,
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회로의 총 커패시턴스 값이다.
이를 계산하면, 1 / (1150.45×2π×200) = 0.0692μF 이다.
세 값이 근사하므로, 직렬연결한 커패시터의 총 커패시턴스는
CT = C1 + C2 + C3 + …
임을 실험적으로 입증하였다. ① 커패시턴스의 직렬 연결
② 커패시턴스의
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