|
2.100(마이크로F)축전기 추가한 후 실험
3. 10옴 을 추가 연결 후 실험
4.330(마이크로F)축전기 로 교환 후 실험
(2) 4개의 다이오드 – (단일 다이오드와 똑같이 실험) 1. 실험목표
2. 배경이론
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 고찰
|
|
|
2주차 rlc 수동소자와 ttl ic 예비레포트 RLC 수동소자와 TTL IC
DC회로와 DC전압,전류 측정
Ohm의 법칙과 저항의 직렬병렬
|
|
|
전압이 일정하기 때문에 I1,I2을 구할때에는 V=IR의 식을 이용해 I=V/R이며 이때 Vtot은 병렬연결에서 같으므로 각각의 저항 R1과 R2로 나누어 I1과 I2를 구할 수 있다.
이번 실험을 통해 브레드보드의 직렬연결과 병렬연결의 차이점에 대해 숙지할
|
|
|
.
따라서, 이론상의 내용과 실험적 오차가 발생함.
소감
Capacitor와 저항이 직렬로 연결된 회로에서 시간별로 감소하는 전압을 측정하는 실험.
기기사용에 익숙하지 않아 실험이 조금 어려웠음. 결과값
계산과정
그래프
오차원인
토의
|
|
|
|
|
|
회로 시뮬레이션 결과
→ 시뮬레이션 결과, 삼각파형은 입력전압이고, 사각파형은 출력전압이다.
출력의 +VPEAK 전압 크기는 69.043mV이고, -VPEAK 전압의 크기는 -66.865mV이다.
출력파형의 +주기는 1.2403ms, -주기는 1.2412ms이다.
2) 적분기
(1) 이래 그림
|
|
|
결과 68.822W가 나왔다. 이는 계산 값 67.83W와 거의 근사한 값을 나타내었다. 또한 R-L회로와 마찬가지로 저항전압 한주기 동안 두주기의 전력 파형 변동이 있는 것을 확인 하였다.
다음으로 R-L-C회로의 파형을 나태난 것을 분석해보면, 위와 같이
|
|
|
전압은 두 저항에 걸리는 전압을 더한 것이 전체 전압입니다.>
4. 세 직렬회로의 실험 결과와 당신이 찾은 규칙을 이용한 계산 결과를 비교해보라. 당신이 계산한 최소값과 최대값을 고려해보고, 각 저항의 허용 오차를 고려하여 당신의 결
|
|
|
전압을 DC sweep을 통하여 1에서10V의 구간에 대하여 측정을 하여 구하였더니 1.1694V일 때 Ic=1.003mA가 나오는 것을 확인하였다. 입력전압은 모두 5V로 주었다. 여기서는 V2를 쇼트시켜서 와 를 계산하도록 하는 것이다.
실험 회로도
시뮬레이션 결과
|
|
|
험에서 필수적인 도구로 자리잡고 있으며, 실험적 접근과 함께 이론적 배경을 탄탄히 하는 데 기여한다.
7. 결과 분석 및 논의
MOSFET의 특성 분석 결과는 전자 회로의 이해를 깊이 있게 만들어 주었다. 실험을 통해 관찰된 전류와 전압의 관계는
|
|
메뉴펼치기
