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회로 실험 절차
RL 병렬 회로 실험은 저항기와 리액턴스가 병렬로 연결된 회로를 통해 인덕터의 동작 원리를 이해하는 과정이다. 실험 준비 단계로는 필요한 재료를 준비해야 한다. 일반적으로는 저항기, 인덕터, 전원 공급기, 전압계, 전류계,
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전류나 전압 등을 측정하는 실수를 많이 한다. 이 경우 과전류 보호용 퓨즈가 끊어지거나 심한 경우 장비의 내부회로가 손상될 수 있다. 이러한 실수를 방지하려면 측정에 앞서 측정 모드가 올바르게 설정되었는지 다시 한 번 확인하는 자세
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전압
(기본 회로)
VR1
VR2
VR3
3.6V
4.4V
1.5V
V1 선택
VR1(1)
6.1V
VR2(1)
1.9V
VR3(1)
-1.9V
V2 선택
VR1(2)
-2.4V
VR2(2)
2.49V
VR3(2)
3.49V
실제 전류
(기본 회로)
IR1
IR2
IR3
7.6mA
-13.5mA
5.8mA
V1 선택
IR1(1)
12.9mA
IR2(1)
-5.8mA
IR3(1)
-7mA
V2 선택
IR1(2)
-5.2mA
IR2(2)
-7.6mA
IR3(2)
12.8mA
3.5 결
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회로에서는 Function Generator에서 교류 전류를 흘려주면 Diode에서 -쪽 전류를 차단해 +쪽 전류만 나왔고, 전파 정류 회로에서는 +일 때와 -일 때 전류가 흐르는 방향이 달랐다.
전파 정류회로는 모두 +값을 가져 직류와 비슷하긴 하지만 전압이 크
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회로에 대한 심층 분석 보고서의 부록에서는 MOSFET의 주요 특성치와 바이어스 회로 설계에서의 고려 사항을 정리한다. MOSFET의 주요 특성으로는 전류-전압 곡선, 서브트레인 전압, 게이트 전압, 드레인-소스 전압 등이 있다. 전류-전압 곡선은 MO
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회로에서는 Function Generator에서 교류 전류를 흘려주면 Diode에서 -쪽 전류를 차단해 +쪽 전류만 나왔고, 전파 정류 회로에서는 +일 때와 -일 때 전류가 흐르는 방향이 달랐다.
전파 정류회로는 모두 +값을 가져 직류와 비슷하긴 하지만 전압이 크
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전류의 흐름을 방해하는 물질로서 도선에 흐르는 전류의 흐름을 방해하여 전기 에너지가 열로 방출되어 전압을 떨어뜨리는 역할을 한다.
L 인덕터(코일)
- 인덕터는 전류의 상태를 유지하려는 성질을 가지고 있다. 전류가 흐르고 있던 회로에
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전압 법칙, 전류 법칙)을 직접 실험해보고 이해하는 데 목적이 있었다. 우리 조는 키르히호프의 전압 법칙을 먼저 실험한 후, 전류 법칙을 이어서 실험했다. 말로만 들어왔던 키르히호프의 법칙을 직접 내 손으로 회로를 구성하고, 실험을 진
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전압의 변동에 의해 동작점이 변동할 수 있다. 더욱 안정적인 바이어스 회로를 사용하면 동작점 변동을 줄일 수 있다. 처음에 동작점을 맞춘다고 해도 온도 변화에 따라 동작점이 틀어질 수 있다. 온도가 상승하면 베이스 전류가 더욱 증가하
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전압을 인가하고, 드레인과 소스 간의 전압을 조절하기 위해 필요하다. 또한, 다채로운 저항기도 필수적으로 사용된다. 저항은 다양한 회로 구성에 따라 전류를 조절하고, MOSFET의 동작 점을 선정하는 데 도움을 준다. 분석 도구로는 오실로스
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