|
회로의 특성을 분석하였다.
기본적으로 simulation의 경우 기준 설정이 상당히 중요한데, DC sweep은 DC 전원의 값을 변화 시키며 그에 따른 출력 값을 살피고, DC Parametric sweep은 DC 전압과 특정 parameter의 값을 변화시키며 그에 따른 변화를 도출하는
|
|
|
역방향 다이오드
Ⅲ. 다이오드의 종류
1. 터널다이오드
2. 정전압 다이오드(제너 다이오드)
3. 발광 다이오드(LED)
Ⅳ. 다이오드의 사용 사례
1. 정류기 필터
2. 제너 다이오드
3. 발광 다이오드
4. 광 다이오드
5. 태양 전지
참고문헌
|
|
|
회로도
위와 같이 Design하고 Op-Amp에 걸리는 전압을 KVL을 이용하여 구하면 다음과 같다.
1.677m×(-15) +Pop +(-1.677)×15 = 0
∴ Pop = 50.31mW
따라서 주어진 조건을 거의 만족시키도록 설계된 것을 알 수 있다.
6. 토의
이번 주차 실험은 Op-Amp의 기본 원리
|
|
|
회로
10. 정류용 Si 다이오드(1N5404)와 R=1㏀ 저항을 사용하여 아래의 그림과 같은 회로를 구성한다.
11. 위의 회로에서 Vi의 p-p 값이 6V인지 확인한 후, 오실로스코프 상에 나타난 Vi, Vo를 모눈종이에 도시한다. 또 부하저항 R 양단간의 dc 전압을
|
|
|
1.실험목적
전기회로의 저항과 전압 그리고 전류값의 상호관계를 알아보고, 저항(R)과 전류(I) 그리고 전압 (E)가 각각 전기회로에서 무엇을 뜻하는지를 실험으로 확인해 보고자 한다. 전기회로에서의 옴(Ohm)의 법칙을 이해하여 회로를 해석할
|
|
|
목적
전기회로의 저항과 전압 그리고 전류 값의 상호관계를 알아보고, 저항(R)과 전류(I) 그리고 전압E가 각각 전기회로에서 무엇을 뜻하고 있는지를 실험으로 확인해 보고자 한다. 전기회로에서의 옴(ohm)의 법칙을 이해하여 회로를 해석할 수
|
|
|
전압 Vc는 결코 Vdd에 도달하지는 않지만 회로가 상태를 스위치해서 -Vdd로 커패시터가 충전하기 시작할때까지 단지 Vdd를 향해 충전한다.) 그림에서 지적하듯이 커패시터 전압은 반주기 T/2 후 Vic에 도달할 것이다. 식(1)에 V2=Vo=Vic와 t=T/2를 대입
|
|
|
회로가 되면 A=D가 되므로 전달 정수와 같아져서
gamma {}={} theta {}={}cosh ^-1 A
(10.57)
가 된다.
반복 임피던스
Z_K1 ,{}Z_K2
와 전파 정수
gamma
를 이용하면 4단자망의 입출력 전압과 전류 관계를 나타낼 수 있으므로
Z_K1 ,{}Z_K2 ,{} gamma
를 반복 파라
|
|
|
10-1. 서론
전류나 전압이 과도현상을 제외하고는 크기(전류와 전압)가 고정되어 있는 직류(dc: direct current)회로망에 관한 해석방법을 소개했다. 이제는 전원의 크기(전류와 전압)가 어떤 형태로 변화(ac: alternating current)하는 회로망의 해석에
|
|
|
R-C 직렬 및 병렬 회로 사진과 위상차, 저항에 따른 전류의 변화
R-C 필터는 주파수 변화에 따른 전압의 변화
주파수는 1KHz 차이로 50KHz까지 하였고 이론값과 실험값의 오차를 계산. 그래프고 나타냄 1. 실험목적
가. R – C 직렬 회로의
|
|
메뉴펼치기
