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0V이다. 그리고 게이트-소스간 음전압의 크기는 1.265V인 반면 VGS(off)는 2.1V로 게이트-소스간 음전압의 크기가 VGS(off)에 비해서 작다.
2. 그림 21-1의 자기바이어스 회로에서 IDSS=10mA이고 gm0=5000㎲이면, 소스전류는 대략 얼마인가?
(a) 1mA(b) 2mA(c) 5mA(d
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실험과정 및 결과에 대한 검토
실험2는 하나의 다이오드를 통해서 반파 정류회로를 구성하고 입력전압과 출력전압을 측정하는 실험이다.의 파형을 보면 아래쪽( (-)쪽)에 대한 파가 없어졌다는 것을 알 수 있다. 이것은 입력되는 V가 다이오드
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도를 참조하여 아래 회로를 구성한다. 7404, 7408, 7432의 7번 핀은 접지하며, 14번 핀은 +5V의 전압을 인가한다. A와 B에 입력을 표와 같이 변화시키면서 출력 상태를 기록하여라.
B
A
X
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
시뮬레이션
회로
결과
7400 IC 핀 배치도를 참
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압 이득이고 이다. 폐 루프 전압이득 는 이며, 이면 이다. 출력전압 극성은 반전한다.
2. 비반전 증폭기
연산 증폭기의 기본적인 회로구조의 하나로, 아래 그림에서와 같이 접속된 것이다.
증폭기 본체의 입출력 임피던스를 각각 , 로 하면, 폐
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2.424mA
0.423mA
0.424mA
3. 분석
실험①
- 직렬회로에서 저항 R1, R2, R3 에 걸린 전압은 각각 15.074V, 1.524V, 1.902V인데 전체 전압은 18.513V로써 각저항에 걸린 전압의 합이라는 것을 알 수 있었다.
실험②
- 병렬로 구성된 회로에서 각저항과 저항에 흐르는
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A +0.04mA +4㎂
= 4.043mA
4.실험 고찰
。 병렬 회로에서 각 소자 양단의 전압과 전원 전압과의 관계를 설명하시오.
→ 각 소자 양단의 전압과 전원 전압은 같다.
I1 = V / R1, I2 = V / R2, I3 = V / R3
1 / R = 1 / R1 + 1 / R2 + 1 / R3
I = I1+ I2 +I3
I = <V / R1 + V / R2 + V
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궤환 Bias가 사용된다.
여기서 드레인 궤환 바이어스 회로는 입력 전류 이 되므로 에 전압도 0이 되 기 때문에 는 가 되어 큰 전압( 이상 전압)을 얻을 수 있는 EMOSFET 용 바이어스 회로이다.
※ DC 해석
① : 입력전류 이므로 저항에 전압이 0이 된
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중첩의 원리
2개 이상의 전원이 있는 회로 내에서 어떤 점에서의 흐르는 전류 또는 어떤 2점간의 전압은 각각 다른 전원이 개별적으로 작용할 때 그 점을 흐르는 전류 또는 그 2점간의 전압을 더한 것과 같다.
여기서, 전원을 개별적으로 작
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1/1의 전압이 걸림을 알 수 있다.
3) 멀티메터를 사용한 전류, 전압, 저항의 측정
- 멀티메터를 사용해서 전압과 저항과 전류를 측정하는 실험에서는 1킬로옴, 2킬로옴, 3 킬로옴의 3개의 저항으로 구성된 직렬회로를 만들었다.
- 회로를 구성하
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교류 전압계, 전류계 모듈을 배치한다.
2) 전원 공급기가 O(off) 위치에 있음을 확인하고 전압조절기를 0% 위치에 놓는다. 전압계 선택 스위치를 4-N 위치에 놓는다.
3) 그림 6-4과 같이 회로를 연결한다. 각 부하 모듈의 세 부분을 병렬로 연결한다.
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