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과
드레인 전류가 각각 10mA가 되도록 Rgg1-4의 크기를 조절해 주었다. 그 결과 모두 드레인 전류가 10±1mA 이내로 들어오게 출력이 되었다.
실험 회로도
시뮬레이션 결과(15%증가)
분석 :
실험 회로도
시뮬레이션 결과(15%증가)
주어진 조건과 같이
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전자 (Hongsik jeong) 자료
(2) 인터넷 과학신문 사이언스 타임즈
(3) 서울대 반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학
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▲ 시상수
▲ R-L 회로에서 R에 비하여 L이 클수록 시정수가 커지며, 지수적 변화가 서서히 일어난다. 이것은 전류에 대한 L의 관성에 기인한다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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Plot 하라.
▲ Vo 의 P 에대한 관계식
▲ P=0 일 때, Vo=0 이기위한 가변저항 R2의 저항값
▲ P=0 일 때, Vo 의 P 에대한 관계식
참고문헌
전자용어대사전 : 기다리 출판사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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맞게 설계한다.
단, I : 직류 부하전류
f : 리플주파수
C : 커패시턴스
참고문헌
대학기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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정현파와 삼각파, 구형파로 파형변화를 할 때, 정확히 10 V로 맞춘것이아니라 정현파에서 고정시켰던 값으로 실험하였기 때문인 것으로 추측되어진다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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이므로 전류는 전압보다 위상이 만큼 앞선다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관련이론
참고문헌
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부른다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관련이론
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C값에 영향을 미치는 요소를 열거하라.
(3) 실험절차 (1),(2)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.1과 표14.2의 형식으로 구성하라.
(4) 실험절차 (5),(6)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.3과 표14.4의 형식으로 구성하라.
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전류는 공급된 전체 전류 로부터 나누어지는데,
각 소자로 흐르는 전류 는 , 이므로,
전체 전류 는 다음과 같다.
,
, 여기서 이 결과는 전류 훼이저도와 같음을 보여준다.
(3) 실험 (5)의 절차에서 : 개방, : 단락, : 단락시킨 상태에서 전류 는 각
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