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실험에 의미가 없어지게 된다.
③ 테브난과 노턴 등가회로에서 RTH, VTH, IN사이에는 어떠한 관계가 성립하는지 유도하라.
RN=RTH 이고 VL=VTH-ILRTH를 바꾸면 VTH=VL+ILRTH이 되고 여기에VL=RTH(IN-IL)를 대입하면 VTH=RTHIN 의 식을 얻을 수 있다. 따라서 이
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와 , , 를 측정.(측정값의 극성에 주의) 전원을 끔.
⑤ 두 전원공급기와 , , 의 측정값을 이용하여 두 개의 전원에 의해 공급된 , , 을 중첩의 정리를 적용하여 계산. 이론
실험방법
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회로를 만들면 이 회로가 Thevenin 등가회로 내부에 걸리는 저항 R이다.
→ 전원을 떼어 그 자리를 선으로 이은 후 a-b사이의 저항을 측정하기 위해 위와 같이 회로를 정리하고 DMM으로 저항을 측정하여 R를 구한다.
5.3 실험계획 3.1의 계산값 V와 R
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전자공학실험, 홍안의, 도서출판 보문당 , 실험 16 결합형 카운터
[사 이 트] 공주대학교 가상강의실 : http://princess.kongju.ac.kr/
-- 이론적 설명 부분 참조 1. 실험목적
2. 이론
3. 사용기기및 부품
4. 실험과정 및 결과 예측
5. 참고자료
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하여 그림 11-3 및 아래에 기록하라.
= 17.24 ㏀ (commercial value)
= 17.23 ㏀
= 3 ㏀ (commercial value)
2.948 ㏀
= 1.2 ㏀ (commercial value)
= 1.197 ㏀
= 300 Ω (commercial value)
= 294.6 Ω
b. 를 이용하여 그림 11-3의 회로에 대해 를 계산하라. 가장 가까운 상용치(실험실에
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적인 부품일 때의 계산이고 직접 멀티테스터로 측정시의 부품은 약간의 저항이 존재(예를 들면 전선)하기 때문이다.
그림 7-9와 같은 회로에서 전압에 대한 루프 방정식을 세우고 각 저항 10㏀, 6.8㏀에 흐르는 전류를 계산하여라.
각 페루프에
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계산하라. 순서 g의 결과와 비교하라. 1.사전 지식
1)반도체
2)진성반도체
3)확산 전류
4)드리프트 전류
5)전류의 방향
2.실험 절차
1)문턱 전압
2)직렬구성
3)병렬구성
4)정논리 AND 게이트
5)브릿지 구성
6)실전 연습
3.분석 및 토의
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실험 9 Detection/Protection Circuit 실험
◎ 결과 보고서
실험 1
1-3 : V=8V ,, I=V/R=4.7/19=0.25[A]
1-4 : 전류는 더 많이 흐르고 제너전압이 더 빨리 도달
특정 전류 3)을 확인 V=6V ,, 2V더 빨리 도달
D(4.7v)가 5V로 상승 ( 실험결과 )
2-3 : 시작점 : 22.4V ,, 끝점 : 30V
3-
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1. 목적 및 배경
2. 부품 및 사용기기
3. 유용한 공식
4. 실험절차
5. 결 론
6. 실험 단계별 회로도 및 입출력 파형
7. 실험 27의 데이터
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LOUUS NASHELSKY 저
전자 회로 설계 - 연규호 저
http://blog.naver.com/earthshake/150029056492
전파 정류
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
전자 회로 설계 - 연규호 저
http://blog.naver.com/earthshake/150029056694
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