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, 바이어스 전원의 배치에 따라 각각 다른 레벨을 제한할 수 있다. 실험에서 구성했던 회로들 말고도 소자를 다르게 구성했을 때 어떤 파형을 나타낼지 생각해보면 응용에 많이 도움될 것이다. 1. 실험회로
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
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전자장치에 쉽게 적용할 수 있는 방안을 모색하고, 이를 통해 현대화된 전자기기의 성능을 극대화하는 연구가 필요하다. 마지막으로, 실제 응용 분야에서의 테스트 및 결과 분석이 이루어져야 한다. 그 결과를 통해 이론적 연구와 실험 결과
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실험은 개인적으로도 전자 회로에 대한 깊은 이해를 제공하였고, 실제 설계 과정에서 발생할 수 있는 여러 변수를 다루는 데 많은 도움이 되었다. 향후 더욱 발전된 결과를 얻기 위해서는 시뮬레이션 프로그램을 활용하여 설계 검증 및 개선
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 연산증폭기의 A/D 변환기 회로
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
1) 정현파 입력
XSC1XSC2
2. 삼각파 입력
XSC1XSC2
■ 모의실험회로 2 :
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
D3
D2
D1
D0
0
0
0
0
5.
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E } )
, 전력이득
A_{ p } `=`A_{ v } A_{ i }
입력 임피던스
Z_{ in` } `=`R_{ 1 } R_{ 2 } Z_{ in(base) }
,
(Z_{ in(base) } `=`h_{ fc } (r_{ e } +r_{ E } ))
출력 임피던스
Z_{ out } `=`R_{ E } left ( r_{ e } + { R_{ in } } over { h_{ fc } } right )
이다.
- pspice simulation
Common-Base Amplifier
C
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실험 결과
1.반사 실험
입사각
반사각
미터수치(mA) x30
20˚
17˚
4
40˚
39˚
7
45˚
42˚
3.8
60˚
64˚
5
80˚
78˚
6.8
2.굴절 실험
θ1 =30, =25, θ1+=θ2=55, n1sinθ1 = sinθ2
sin55˚/ sin30˚=n1 / n2=1.638304(스티렌 펠렛의 굴절률)
3. 편광실험
수평 60mA
30˚ 45mA
45˚ 30mA
60˚ 10mA
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회로 설계의 중요성을 실감할 수 있었다. 실험 결과를 통해 적절한 파라미터 조정을 통해 소자의 성능을 최대화할 수 있는 방법도 제시되었다. MOSFET의 동작 특성을 이해함으로써, 향후 더 복잡한 전자회로 설계나 응용에도 큰 도움이 될 것이
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실험적 접근은 전자회로 설계 및 분석에서 중요한 성과를 거두었다. 본 연구를 통해 MOSFET의 특성과 동작 원리를 보다 깊이 이해할 수 있었고, 실제 회로에서의 응용 가능성을 확인할 수 있었다. 실험 결과를 바탕으로 MOSFET 증폭기의 선형성,
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) 브릿지 정류기 회로
전파 정류 회로의 일종으로, 다이오드 4개를 브리지 모양으로 접속하여 정류하는 회로로 중간 탭이 있는 트랜스를 사용하지 않아도 되고 거의 2배의 높은 피크 출력전압을 내므로 많이 사용된다.
Pspice Simulation
1) 반파 정
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