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홀츠 코일의 직류전류 (1~2 Amp DC)의 두 양을 제한된 범위 내에서 조절하여 원 궤도가 선명하게 보이게 한다.
(5) 하나의 원궤도에 대하여 음극-양극 사이의 전압 V, 전자의 원궤도 반경 r, 헬름홀츠 코일에 흐르는 전류 I, 헬름홀츠 코일의 반경 a,
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물질 내에서 전류가 잘 흐르는 정도를 나타내는 양이다. 비저항 이라고도 한다.
비저항은 단위단면적, 단위길이당의 전기저항으로서 ρ=Ω/m, Ω/cm으로 나타낼 수 있다.
금속의 비저항은 외부온도, 격자구조, 불순물의 함량, 외부압력, 전
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전자가 같은수이기 때문에 진성 반도체이다.
15. extrinsic semiconductor
트랜지스터나 다이오드에 사용되는 것을 불순물 반도체라 하며 순수한 반도체에 불순물을 극소량 혼입한 것이다. 비저항은 첨가하는 불순물의 종류와 양에 따라서 다르지만
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비저항 및 전기전도도, Mobility, Majority carrier
3. 2. 에서 제시한 특성들의 뜻 또는 의미하는 바는 무엇인가?
① Carrier concentration(n) : 물질 내에서 음의 전하를 가진 입자를 전자라고 하고, Valence band에서 Conduction band로 전자가 전이되었을 때 발생
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관련 이론
1. 고체의 에너지 밴드 구조
2. 전자 이동도
3. 금속의 전기 비저항
4. 상용 합금의 전기적 특성
Ⅱ.반도체 공업
1. 반도체 공업의 특징
2. 반도체의 원리와 종류
3. 반도체 제조원료
4. 반도체 제조기술
참고문헌
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