|
회로 위상 차 측정
RL 회로 위상 차 측정
인덕터에서는 전류가 전압보다 90도 위상 뒤쳐졌고(lagging),
커패시터에서는 전류가 전압보다 90도 위상 앞섰다(leading).
3. 결론 및 토의
- 실험 가. 나.
구형파 함수를 발생시키고 RC와 RL 회로의 시정수를
|
|
|
기 때문에 약간의 전류의 변화가 있었다. 위의 그래프는 PSIM으로 전류를 계산한 값을 나타낸 것이다. 전류는 5.56mA 값을 유지했다.
B. 병렬 회로 실험
a. 병렬회로 실험 Data
저항
표시 저항값
전압
측정 전압값
전류
측정전류
계산 저항값
오차(%)
|
|
|
실험을 통해 얻어낸 측정값들 역시 PSIM으로 시뮬레이션 하여 얻어낸 이론값과 거의 일치했다. 직렬회로에서는 모든 저항에 같은 크기의 전류가 흐르므로 저항이 큰 곳일수록 많은 전압이 걸리는 것을 확인 할 수 있었다. 두 개의 루프가 있으
|
|
|
16[V] / 8000[Ω] = 0.002[A] = 2[mA]
Q3. 회로의 미지저항 R을 구하라.
sol) V=IR이므로 20[mV] / 5[uA] = 4000[Ω] = 4[kΩ]
Q4. 회로의 미지전압 V를 정하라.
sol) V=IR이므로 0.06[mA] * 500[kΩ] = 30[V] 실험 1 Ohm\'s law
1. 실험진행
2. 오차의 원인
3. 확인문제
|
|
|
회로에서 a, b를 단락시키면 저항 R3와 R4는 무용지물이 되고 전압원, R1, R2가 직렬로 이루어진 회로(그림 15)가 되며, 이때 이 회로에 흐르는 전류가 IN이 됨을 알 수 있다. 이제 IN값을 계산해보자.
-
- 이론값으로 4[mA] 구했고 이를 실험적으로 구
|
|
|
실험을 통하여 확인할 수 있었다. 때문에 중첩의 정리가 성립한다는 것을 실험적으로 확인할 수 있었다.
B. 가역 정리
1) 그림 12의 회로를 결선한다.
2) 단자 A, B의 전압을 4, 8, 12V로 변화시키며 C, D에서의 전류를 측정한다.
단자 전압
[Vab]
ICD[mA]
|
|
|
: 47mH
5.2. 소자를 사용한 실험
기초회로 실험에 사용되는 소자는 저항기(resistor), 분압기(potentiometer), 커패시터(capacitor), 인덕터(inductor) 등 여러 가지가 있다. 이러한 소자들의 모양이 어떠한지 실지 살펴보고, 또한 소자와 소자기호를 서로 맞추
|
|
|
실험 결과는 예상했던 값과 크게 다르지 않았으며, 이 실험을 통하여 우리는 비반전 증폭기의 역할에 대하여 실험적으로 확인해 볼 수 있었다.
b. PSIM 그래프
C. 가산기
(1) 가산 증폭기의 회로도를 결선 하라.
(, , , )
(2) 741에 전원을 공급하고,
|
|
|
실험방법
(1) 주어진 전압계의 내부 저항을 측정하시오. 전압 측정범위에 따라 내부 저항이 다를 수 도 있으므로 각 전압 측정범위에 대하여 내부 저항을 측정하시오.
(2) <그림 6.2>의 회로를 E = 10[V]으로 하여 구성하시오. 아날로그형 직류
|
|
|
렬회로의 총 저항을 구하기 위해 규칙들을 실험적으로 입증해보고 직-병렬회로들을 설계해보는 실험이었다.
기본적인 옴의 법칙과 직-병렬회로의 저항 규칙을 익히 알고 있어서 수월한 실험이 되었다.
조금 난관이었던 것은 브레드보드에
|
|
메뉴펼치기
