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결과 데이터를 보면 전력요소(PF)의 값과 θ의 값이 각각 46.8°, 39.6°와 68.45%, 77.05%로 비슷하게 나와 큰 오차는 없었던 실험인 것 같다.
이번 실험을 통해 주변에서 흔히 볼 수 있는 교류회로에서의 실제전력에 대해 배울 수 있었고 실험자체는
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을 증명한다.
DISCUSSION
·TTL은 5Vdc와 공급 전압으로 ground를 사용한다.
·CMOS 공급 전압은 5, 10, 15Vdc이다.
·CMOS 입력, 출력 level은 공급 전압사이이다. (VDD와 VSS)
·VIL과 VIH 사이 전압에서 gate output은 state로 변한다.
·TTL level은 VIL = 0.8Vdc와 VIH = 2.0Vdc이
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gate의 연산 결정
DISCUSSION
OR gate의 출력은 어떤 입력이 high일 때 high이다.
NOR gate의 출력은 어떤 입력이 high일 때 low이다.
high input은 OR 또는 NOR gate에서 불가능할 것이다.
low input은 OR 또는 NOR gate에서 가능할 것이다.
OR/NOR gate 출력은 서로 보완적
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은 25KHz이다.
. JK flip-flop에서 J와 K input은 항상 보수이다.
. D-type flip-flop으로서 JK flip-flop을 형성하기 위해 J input은 반대로 되고 K input에 연결된다.
. JK flip-flop이 D-type flip-flop으로 형성될 때 Q output은 J input의 logic state와 같다. Q-not output은 J의 반
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data의 제어를 설명하라.
DISCUSSION
·컴퓨터 데이터 변환은 동적으로 일어난다.
·CS 제어신호는 address decoder를 통해 CPU에 의해서 시작된다.
·CPU는 R/W 신호를 사용하는 변환의 방향을 선택한다.
·CPU는 데이터가 안정적으로 될 때까지 기다린다.
·
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회로 내에 연결함으로써 저항이 무한대인 개방회로와 유사한 효과를 얻을 수 있을 것이다.
5. 실험과정 6(a)에서 언급된 반응의 중요성에 대해 설명하시오.
- 가변팔의 축을 한쪽방향으로 완전히 돌렸다는 것은 양 끝단자의 합과 같은 값을 유
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실험은 NOT, OR, AND 게이트, NAND, NOR, Exclusive-OR 게이트의 논리함수 개념과 Gate의 구조 및 기능에 대해 알아보고 측정하는 실험과 부울 함수를 이용한 논리회로의 표현방식을 익히고 구현해보는 실험을 하였습니다.
각 Gate 마다 쓰여 있는 숫자가
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실험하고 진리표를 작성하라.
C
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⇒ 조교님께서 실험을 하지 말라고 하셨습니다.
고찰
이번 실험은 반가산기와 전가산기의 원리를 이해하고, 가산기를 이용한 논리회로 구성을 하는 실험이
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회로에서 정현파 대신에 5[VPP] 50[kHz]의 펄스 파형을 인가하고, 펄스의 상승 시간과 하강 시간을 측정하라.
⇒ CH1 상승 시간 : 26.21ns, 하강 시간 : 27.14ns
CH2 상승 시간 : 5.600, 하강 시간 : 5.640
⇒ 대략적인 위상 90 실험목적
실험이론
예비 과
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실험에 사용된 저항이 모두 1k으로 같은 값의 저항을 가지므로 비슷한 양의 전류가 흐르고, 전체 전류 는 이들의 합인 30에 가까운 값이 되는 것을 확인할 수 있었습니다.
네 번째 실험은 <그림 3.12>의 회로도처럼 직렬연결과 병렬연결이 모
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