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(CC등이 켜진 상태) 될 경우에는 즉시 출력 전압을
0으로 내리고, 부하의 이상 유무와 5에서의 값을 점검해야 한다. 문제가 해결되면 6 또는 8부터
다시 시작한다.
10.부하에 제 2의 다른 전원이 연결되는 경우, 이 때 전압이 본 전원 공급기의 출
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구한다. 실제로 실험한 실험에서 캐패시터의 숫자가 473이라고 쓰여 있었으므로 실험한 캐패시터의 용량은 47000[pF]이므로 0.047[F]이 된다.
이 캐패시터들의 평균 측정값과 이론값을 이용하여 오차율을 구해보면
가 된다.
또다른 캐패시터의 숫
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실험에서는 0.47[]의 캐패시터 대신 0.3[nF]의 캐패시터 사용)
⇒
48.99[nF] =0.04899[F]
57.88[nF] =0.05788[F]
48.35[nF] =0.04835[F]
62.56[nF] =0.06256[F]
59.68[nF] =0.05968[F]
60.06[nF] =0.06006[F]
48.99[nF] =0.04899[F]
61.05[nF] =0.06105[F]
59.46[nF] =0.05946[F]
▶ 10개 캐패시터의 측정값
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6V로 이론값과 매우 유사한 값이 나왔습니다.
네 번째 실험은 연산증폭기를 비반전 증폭기로 이용한 실험이었고 공식을 이용하여 이론값 35V=15V를 구할 수 있고, 측정값도 14.260V로 유사한 값이 나왔습니다.
다섯 번째 실험은 연산증폭기를 이용
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실험을 반복한다. 역시 5초동안 2.5번 왕복했다. 눈으로 시간과 오실로스코프를 함께 측정하기에는 무리가 있어 정현파와의 비교는 쉽지 않았다. 하지만 명확히 알 수 있는 차이점은 점의 이동속도가 다르다는 것이다. 정현파에서는 속도의 변
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실험의 시작점으로 하면 됨.
ㅊ.
ㅋ. 충전현상의 데이터에서는 t가 각각 되는 시점, 즉, V가 가 되는 시간 을 기록
ㅌ. 방전현상의 데이터에서는 t가 τ가 되는 시점, 즉 V가 인 시간 과
을 통과하는 시점 기록
ㅍ. 디스켓에 저장
[3부 데이터 분석
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파장을 불러오지는 못했다.
직경이 2-3nm인 p-형과 n-형의 단결정 실리콘 나노와이어를 이용하여 우수한 성능의 FET를 재현성 있게 얻을 수 있다. 나노와이어는 탄소나노튜브와는 달리 합성 과정에서 전자 특성을 쉽게 제어할 수 있다. 실리콘 나
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으로 단자 ab간의 전류 Iab를 구함. 전류 Iab는 저항 R3에 흐르는 전류. 그림 (b)와 (c)를 보면 R3에 흐르는 전류인 I11 과 I12 가 모두 들어오는 방향 즉 중첩된 방향이므로 두 전류의 합이 곧 Iab가 됨.
따라서
Iab = I11 + I12
= 1/3 + 8/3
= 3 [A]
이러한 방법
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맥스플러스 프로그램 필요(없다면 받지마세요)
디지털시계를 MAXPLUS로 구현하였다
직접 KIT로 실험도 해봤으니 구현문제는 걱정없다
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원의 내부 저항을 작게 하는 것이 훨씬 더 효율적일 것이기 때문이다. 그러나 최대전력을 전송하는 것이 중요할 때는 이 방법을 써야 할 것이다.
2.개요
- 실험 목적
(1) 직류 부하에서 전력을 측정하여 확인한다.
(2) 부하의 저항이 전원의 저항
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