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회로를 분석할 수 있었다. 또한 키르히호프의 법칙인 Σ기전력=Σ전압강하, Σ유입전류=Σ유출전류 라는 사실을 실험을 통해 확인하였다. 또한 폐회로의 법칙에서 도출된 = 식이 옳음을 확인할 수 있었다. 그리고 전류계는 내부저항이 작을수록
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회로에서 한 방향으로 회전하면서 취한 전압 상승의 합은 전압강하의 합과 같다.
실험 도구 - 직류전원 공급기 - 디지털 멀티미터 -
실험 준비 보고(1) 아래의 회로에서 및 을 각각 구하라. 여기서 사용되는 저항은 각각 이고 전압원 이다. (2)
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회로와 대역 여파기의 설계 및 분석에 관련된 추가 자료와 실험 데이터를 제공한다. 공진 회로의 기본 원리와 주파수 응답 특성을 이해하기 위해 필요한 수식들, 그리고 실험에서 얻은 데이터가 포함된다. 이론적으로 공진 회로는 LC 회로의
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것과 같아진다. 따라서
은 전압원을 제거한 뒤 단락시켰을 때의 합성저항이므로
35.637
230.247
5) 4)에서 이론적으로 구한 및 과 “(2) 노턴의 등가회로”에서 측정한 값을 비교 하고, [%]오차를 구하라.
의 [%]오차 :
의 [%]오차 :
이번 실험은 테브
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실험도구
오실로스코프
브레드보드
Law-pass Filter High-pass Filter
함수발생기
회로구성요소
10kΩ 저항 사용, 10nF 커패시터 사용
5. 실험방법
1) 먼저 저역통과필터 실험부터 시작한다.
2) 저항과 커패시터를 이용하여 브레드보드에 회로를 구성한
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실험 장치
- 오실로스코프
- NOT 게이트 7404
- AND 게이트 7408
- NAND 게이트 7400 3개
- NAND 게이트 7410
- JK 플립플롭 7476 2개
5. 실험 회로도
6. 실험 절차
(1) 디지털 실험기판 위에 비동기식 카운트-업 카운터 회로 (a)를 구성하고 CLR
을 0->1로 하여
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실험에선 간단한 저항 측정 후 이론적인 값과의 오차의 비교정도였기 때문에 이 법칙을 사용하진 않았지만 전류값과 회로를 이해하기 위해선 반드시 알아야할 법칙이다.
키르히호프의 전기회로에 관한 법칙
1849년에 발표되었으며 전자기학
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회로 설계가 이루어질 것으로 기대된다. 통합적 접근 방식이 여전히 진화하는 이 시점에서, 4비트 덧셈기 회로 설계는 아날로그와 디지털 기술의 융합이 이루어지는 중요한 사례로 남아 있다. 이러한 성과는 향후 다양한 전자 기기의 발전에
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실험에서는 도선의 길이가 동일한 두 개의 회로에서 다른 값이 나왔는데, 회로를 자세히 보면 하나의 회로는 단면이 아닌 양면으로 도선이 흐른다는 사실을 알 수 있었다. 그러므로, I 가 2I 가 되어 자기력 또한 두 배가 되는 것이다. 이번실험
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한국의 삼성전자는 256M DRAM을 세계 최초로 개발하였고 현재는 4G DRAM을 개발중이다. 1. 세계 반도체 산업의 발전과정
2. 반도체 산업의 특징
3. 삼성전자의 반도체 기술 발전 추이
4. 세계 반도체 시장의 현황
5. 삼성전자의 성공전략
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