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실험 과정에서 관찰된 현상과 이론적 모델 간의 일치를 비교하고, 각 측정값의 정확성을 검토한다. 마지막으로, 실험 결과를 바탕으로 MOSFET의 특성과 실제 응용 예를 정리하여 결론을 도출한다. 이는 MOSFET이 전자회로에서 얼마나 중요한 요소
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전자회로에 비하면 상대적으로)을 주었을 시에 ploting에 변화가 눈에 띄었다. □ 실험목표 : Pspice를 이용한 Simulation 구현해보기.
□ 실험목적
□ 예비보고서 내용
1) SPICE, Schematic, Netlist, Model library
2) SPICE Level 1 model의 parameter 및 각각
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실험은 신호와 시스템에서 배웠던 Fourier변환을 통한 신호의 복원을 상기 시켜주었다.
입력된 신호의 크기를 복원하기 위해서 같은 주파수의 신호를 90도 위상 차이를 두어서 (쿼더러처) 더해주면 원래의 신호로 복원된다는 것이다. 그리고 잡
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실험에서 이 모양을 전부 볼 수 있다. 빛의 경우에는 스크린을 놓아서 스크린 위에 조명되는 밝고 어두운 무늬를 바로 눈으로 관측할 수 있고, 본 실험처럼 마이크로파를 이용할 때는 스크린 위치에 수신기를 옮겨가며 전류의 강약의 변화로
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실험일 때는, 0.1~1V 모두 전류값이 0으로 나왔다. 이것으로 보아, 다이오드는 역방향일 때, 전류가 흐르지 않는다는 것을 확인할 수 있었다.
6. 참고문헌
1) 전자회로 Electronic Devices and Circuits (6/E) 저자명:Bogart/Beasley/Rico
2)http://kin.naver.com/detail/deta
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트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
트랜지스
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트의 역할이 중요하며, 액정의 배열과 전압에 따라 다양한 색상과 이미지가 구현된다. 실험을 통해 발견한 기본적인 원리는 LCD 기술이 다양한 디지털 기기에서 어떻게 활용되는지를 이해하는 데 큰 도움이 되었다. 특히, 스마트폰, TV, 노트북
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실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
3. 양단 전압 = 0 V
6.
9. 양단 전압 = 0 V
10. 양단 전압 = 1.13 V
11.
17. 첨두치 전압 = 13
18. 전력 = 0.42 Watt
19. 첨두치 전압 = 9 , 전력 = 0.2 Watt
29. 왜곡이 나타나는 “+”전압 = 9 V
30. 높은 음량에서
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마지막 실험인데 DMM이 제대로 동작하지 않아 저항의 크기를 측정할 때에도, 전압의 크기를 측정할 때에도 수월하지 못했다. 그 점이 가장 안타깝다. 예비 레포트에서는 실험 1을 같은 주파수를 가지고 입력 전압 크기만 바꿔가며 측정하자고 &
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실험에 앞서 퀴즈를 보면서, 피스파이스에 대해서 대략적인 사용법만 알 뿐, 완벽한 이해를 하지 못하여 캐패시터의 충 방전 그래프를 한 화면에 나타내지 못하였다. 집에 돌아와 피스파이스에 대해 다시 한 번 사용법을 익히고 결과 레포트
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