|
9-2의 차단상태에서의 VCE 측정값』
『측정값 200KΩ』
『측정값 400KΩ』
『측정값 560KΩ』
『측정값 800KΩ』
『측정값 1000KΩ』 9. 트랜지스터의 베이스바이어스
○ 실험 목적과 목표
○ 회로도
○ 실험 9의 데이터
○ 결과 및 결론
|
|
|
바이어스회로의 안정도에 있어서의 온도의 영향을 설명하였다.
Pspice 시뮬레이션
전압 값
전류 값
온도가 50℃ 일 때 전류/전압 값 9. 트랜지스터의 베이스 바이어스
목적 및 배경
부품 및 사용기기
유용한공식
실험절차
결 론
|
|
|
결과
• 저항계를 사용한 바이폴라 트랜지스터의 단자 확인
E1.1 디바이스 전류의 안정화(npn)
E1.2 접합 관리와 접합 전류 확인
E2.1 베이스-전류 바이어스
E2.2 베이스-에미터 고정전압 바이어싱
• 증폭기로서의 BJT
E3.1 전압 이득과 입
|
|
|
결과를 예상할 수 있게 되어 다행이었다. 1. 보고서 요약
2. 각 실험별 측정결과와 분석
1) NPN 트랜지스터의 값을 측정하기 위한 시험 회로
2) 바이어스 안정화
3) 이미터 바이패스 커패시터와 이득
4) CE 증폭기 임피던스와 전력 측정
5)
|
|
|
1주차
2주차
3주차
관련 자료 수집
관련 이론 연구
회로도 제작
부품 구입
회로 결선
회로 Test 및 문제점 분석
작품 제작
보고서 작성
결과 PPT 발표
5. 소요부품 1.설계목표
2.관련이론
3.회로도
4.역할분담 및 제작일정
5.소요부품
|
|
메뉴펼치기
