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두 번째 특성곡선이 된다.
위의 그림의 전달 콘덕턴스곡선은 다음과 같이 전류와 전압으로 표현된다;
I_D = I_DSS ~left(1 - V_GS over V_GS(off) right)^2 1)접합형 FET (Junction FET(JFET))
2)Biased JFET
3)Drain Curve
4)전달 콘덕턴스곡선(transconductance curve)
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접합형 FET이상의 고입력 임피던스를 갖고 있다.
1) 전력용 MOS FET의 특성
1. MOS FET는 다수캐리어 바이어스이다. 따라서 소수캐리어 디바이스인 바이폴라 트랜지스터와는 크게 다르다.
2. 바이폴라 트랜지스터와 같이 전류를 제어하는 것이 아니
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증폭기의 바이어스와 증폭도
15장. 이미터 접지 증폭기의 임피던스, 전력 및 위상
17장. 이미터 폴로워(컬렉터 접지 증폭기)
18장. 트랜지스터 증폭기의 부하선 분석
19장. 종속접속 증폭기
23장. 접합형 전계효과 트랜지스터와 그 특성곡선
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