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기초전자회로, 정용성 저, 도서출판정일, 2005
전자회로의 기초, 강중순 김상진 안기형 이재곤 공저, 북스힐, 2002
전자회로, 정민수 외 6명 공저, 복두출판사, 2006 1.실험 목적
2. 질문
1) Bipolar Junction Transistor
2) BJT 증폭기 회로 해석을 위
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●실험에 관련된 이론
●실험 방법 및 유의 사항
●참고문헌
●실험 회로 및 시뮬레이션 결과
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+L2
L1+L2+L3
이론값
실측값
이론값
실측값
LT (uH)
99.001
99.007
98.714
98.72
실험3) RL 시정수를 구하고 전류의 변화를 그래프로 나타낸다.
T = 0.099/100sec
T(시정수 time constant) = 0.00099sec = 990us
* 고찰
- 저희 조는 이번 실험에서 인덕터를 직렬 또는 병렬로
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렬회로의 총 저항을 구하기 위해 규칙들을 실험적으로 입증해보고 직-병렬회로들을 설계해보는 실험이었다.
기본적인 옴의 법칙과 직-병렬회로의 저항 규칙을 익히 알고 있어서 수월한 실험이 되었다.
조금 난관이었던 것은 브레드보드에
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회로의 의미를 배우는 것이 첫 목적이기에 이번에 학습한 선형회로에 대해 말해보면 선형 소자로만 구성되는 회로를 선형회로라 하고, 선형 소자로는 저항기를 들 수 있는데, 저항기로 구성되는 회로를 의미한다. 이는 전류와 전압의 비가 일
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1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저항 전압 전류 측정
옴의 법칙과 저항의 최대허용전압
계산과정 사진 첨부 1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저
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5
5
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D11
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D12
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D13
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D14
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D15
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5
5
5
- 4 to 16 디코더
부품조사하는 과정에서 74LS154(4 to 16 디코더)칩이 찾을 수 없어서 74LS138(3 to 8
디코더) 2개를 이용하여 대체했다. 위의 그림이 그 회로도이다.
4개의 입력의 2진 조합에 따라 16
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결 실험: 두 개의 커패시터를 병렬로 연결한 회로를 설정한 후. 다시 한 번 측정 도구를 사용하여 전체 커패시턴스 및 전압을 측정한다.
2. 주파수에 따른 Xc의 변화 실험:
커패시터를 회로에 연결하고, Xc(커패시터의 리액턴스) 값을 주파수에
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회로 설계 및 분석에 있어서도 유용한 기초 자료가 된다. 전체적으로, 본 실험을 통해 MOSFET의 기본적인 IV 특성을 체험하고 이해하는 소중한 경험이 되었다. 1. 서론
2. 실험 환경 설정
3. 실험 결과 분석
4. 모델 비교 및 검토
5. 결과에 대
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전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp48-51.
네이버 지식인, 답변자|mg4138i, 답변일자| 2004.04.20, http://kin.naver.com/detail/detail.php?d1id=11&dir_id=110209&docid=742742&qb=7ZqM66GcIOuCtOyXkCDsoIDtla3snYQg7Jew6rKw7ZWY6riwIOyghOyXkCDsoIDtla3snZgg7IaM67
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