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50
932.33
735.76
5103.78
fR + 400
2350
1015.03
673.86
5111.39
fR + 600
2550
1106.06
626.15
5122.53
3. 분석
이 실험은 RLC 직렬 회로에서 주파수에 따른 전류와 임피던스의 값을 측정하는 것입니다. 위의 결과표를 보면 1.95kHz가 리액턴스 값이 0에 가까운 공진 주파수
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예 비 보 고 서
실험 48. 직렬 RLC회로의 임피던스
실험 49. 직렬 RLC회로에서 임피던스와 전류에 미치는 주파수의 영향
실험 52. 직렬 RLC회로의 주파수응답과 공진주파수
실험 48. 직렬 RLC회로의 임피던스
1. 실험 목적
(1) 직렬 RLC회로의 임피던스
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주파수에서 저항에 최대 전류가 흘리게 된다.
주파수 변화에 따른 저항에 흘리는 전류의 변화
⇒대역 통과 필터 형태의 모습
2.1.3 대역폭 (bandwidth)
직렬 공진 회로에서와 동일
2.1.4 (quality factor)
정의 : 병렬 공진 회로에서 주파수 특성 곡선의
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RC회로의 임피던스
직렬 RC회로의 임피던스는 이다.
R이 일정하다면 임피던스는 에 따라 변화한다. 즉, C가 일정하다면, 주파수가 증가하면, 은 감소하고, 주파수가 감소하면 은 감소한다. 그러므로 Z는 주파수의 감소할 때 증가하고, 주파수가
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주파수가 이하로 감소될 때는 는 증가하고, 은 감소하여 캐패시턴스 회로처럼 동작한다.
공진주파수 에서는 임피던스 이 되어 최소가 되고, 전류는 이 최대가 됨을 그림 3에서 확인할 수 있다.
(예제 1) R = 20Ω, L = 1mH, C =0.4㎌ 인 RLC 직렬회로의
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회로”, 인하대 대학원 (2004) 석사 논문 , 국회도서관 DLL 석사논문 자료실.
<8> 류 영 수, 락킹 상태 표시기를 이용한 지연 고정 루프 기반의 클록 합성기 설계, 부경대 대학원 2006 석사 논문 , 국회도서관 DLL 석사논문 자료실.
<9> 백 동
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주파수 대역
MHz
800
직류 공급전원
V
5
기준 주파수
MHz
7
스퓨리어스
dBc
<-70
위상잡음
dBc/Hz
@1kHz offset
<-80
설계된 PLL회로의 특성을 미리 알아보기 위해 National Semiconductor사에서 제공하는 시뮬레이션을 이용하여 특성을 알아보았다. 아래에 보
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회로도 및 도면
4.1 조작부
조작부 회로도를 작성해보았다.
4.1.1 전체
[그림 4-1] 회로도 전체
4.1.2 ATmega128
[그림 4-2] ATmega128
4.1.3 JTAG Port
[그림 4-3] JTAG Port
4.1.4 Power(+3.3v)
[그림 4-4] Power(+3.3v)
4.1.5 RF(Zigbee)
[그림 4-5] RF(Zigbee)
4.1.6 TFT-LCD
[그림 4-6] TFT-LCD
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회로와 전분회로를 조합하여 이를 구성하였으며, 스위칭 주파수는 저항값을 적절히 조절함으로 해서 사용하고자 하는 주파수를 얻을 수 있는데, 이는 다음의 식으로 구할 수 있다.
{f}_{0}`=` { 1} over {4RC }( { {R}_{2}} over {{R}_{1} } )
(8)
데드타임부는
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회로 설계 과정, RS-232 통신 문제 등 이런 문제들을 해결하기 위해 인터넷에서 조사한 회로를 보고 우선 회로에 대해 분석해보기로 했다. 그러나 RS-232 직렬통신, ZeeBee 무선통신, 조도 센서 설계와 소프트웨어 설계 등 정규 교육 과정에서 배운
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회로 이론 19
전자기학 19
제어 시스템 20
전력 시스템 20
통신 시스템 20
디지털 시스템 및 신호 처리 21
반도체 및 집적 회로 21
전기 시스템 보호 및 안전 21
신재생 에너지 시스템 22
전기동학 및 초기 전기공학 22
? 전자공학 학위과
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회로의 전압, 전류 등의 측정 방법에 대하여 습득한다. 옴의 법칙에 대하여 실험적으로 확인하고, 원하는 전압 및 전류를 얻는 직렬회로 및 병렬회로을 설계한다. 망로전류를 이용한 회로 해석, 중첩의 정리 등 다양한 회로 해석 방법에 대하
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Spice를 이용한 동작 파형 시뮬레이션과 기본적인 오류 분석도 가능합니다.
5. 팀 프로젝트에서 회로설계 역할로 참여한 경험이 있다면 말씀해주세요.
전력전자 수업 팀 프로젝트에서 DC-DC 부스트 컨버터 회로 설계를 맡아, 스위칭 주파수와 인
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웃 설계, 스위칭 주파수 조정 등의 방법을 적용할 수 있습니다.
3) 현대모비스의 전력 변환 기술을 개선할 수 있는 방법에 대해 제안해 본다면?
답변: 차세대 반도체 소자인 SiC(Silicon Carbide) 기반의 전력 변환 회로를 도입하면, 기존 실리콘 소
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회로 이론 (Circuit Theory)
□ 키르히호프의 전압 법칙(KVL)과 전류 법칙(KCL)을 설명하고 이를 적용하여 주어진 회로의 전류와 전압을 계산하시오.
□ 저항이 직렬로 연결된 회로의 전체 저항을 구하시오.
□ 저항이 병렬로 연결된 회로의 전체
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