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따라 감소.
온도계수가 마이너스(-)이면 반도체.
극히 소량의 불순물을 첨가하면 저항률이 크게 변화하여 도전률이 증가. 개 요
에너지 간격 통과하기
진성 반도체
외인성 반도체
재결합과 수명
III-V족 반도체와 II-VI족 반도체
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진성반도체에서 전도대 전자농도(ni)=가전자대 정공농도(pi)
진성반도체 Fermi에너지 준위를 진성 Fermi 에너지 EF=Efi
(Eg : 밴드갭 에너지)
따라서 진성 캐리어 밀도 이다.
옴의 법칙에 의해 이고 드리프트 전류를 일반화하면
다시 정리하면 = = = 5.07
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► 진성반도체 (intrinsic semiconductor) : 불순물이나 결정 결함이 없는 완전한 반도체 결정
T= 0 K, VB: 전자로 충만, CB: 비어있음
에너지 (열, 빛, etc.) 에 의해 VB 전자 →로 이동 : 전자-정공 쌍(EHP : Electron-Hole Pair) 생성(generation)
자유전자 수 =
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진성리더십!), 니케북스.
3. 윤정구(2015), 리더십의 새로운 표준 진성리더십, 라온북스.
4. 조명희(2012), 리더의 개인적 특성이 조직시민행동에 미치는 영향, 중앙대학교 산업창업경영대학원.
5. 이인석(2011), 리더십이론 발전과정을 통한 리더십
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에너지학회 논문집, Vol. 31 No. 3., 2011, pp. 49~52.
사이트
NATIONAL INSTRUMENTS, Part2-태양전지 I-V 특성화 이론과 LabVIEW 분석 코드, http://www.ni.com/white-paper/7230/ko/, 2009. 11. 30.
신재생에너지 데이터센터, 지역별 태양광 설치 최적경사각, http://kredc.kier.re.kr/k
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(주)진성에너지에 대한 재무제표 및 기업정보를 중심으로 분석한 상세보고서(종합신용등급, 현금흐름등급, Watch등급, 기업개요, 주요재무상황, 주요재무비율, 재무신용평정, 신용도 분석의견, 기업현황, 주요 주주현황, 경영진현황, 관계사현
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