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출처 및 참고문헌
고온초전도체 (한국과학기술정보연구원, 2002.12)
http://www.itfind.or.kr/Report/200301/IITA/IITA-0700/IITA-0700.pdf
고온초전도 기술개 발동향 (정근하, 과학기술정책, 1997)
https://www.stepi.re.kr/app/publish/view.jsp?cmsCd=CM0021&categCd=A0504&ntNo=104&sort=PUBD
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초전도체가 전기적으로 완전전도체가 되는 성질하고는 다른 또 하나의 새로운 현상을 발견하였다. 그것은 자기장을 배척하는 흥미 있는 자기적 성질로 초전도체는 그 내부로 자기장이 들어오는 것을 허용하지 않는 것이다. 그것은 달리 말하
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전기적 특성을 심각히 떨어뜨릴 수 있다. 고온 초전도체 개발은 박막에서의 전기적 특성이나 공정, 특성화 방법 등이 매우 빠르게 발전되어 왔다. 기판의 화학적 안정성과 무반응성이 그 위에 만들 초전도 전자 칩의 안정성에 중요하다. 몇몇
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전기적 특성을 심각히 떨어뜨릴수있다. 고온초전도체 개발은 박막에서의 전기적 특성이나 공정, 특성화 방법등이 매우 빠르게 발전되어 왔다. 기판의 화학적 안정성과 무반응성이 그 위에 만들 초전도 전자칩의 안정성에 중요하다. 몇몇의
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이용되는 아주 중요한 반도체 물질이다.
반도체 물질
일반적인 반도체 물질이 주기율표상에 4족 원소이듯이 몇 가지의 원소를 합쳐 만든 화합물 반도체도 3족+5족, 2족+6족처럼 전기적으로 중성으로 만든다 반도체와 초전도체
Ⅰ실
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