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충전과 방전 특성이해, 1차 과도 응답 회로의 시정수의 개념 이해, RL, RC의 회로로부터 미분회로ㅡ 적분회로의 구현과 원리 이해를 실험적으로 확인한다.
함수발생기
저항, 가변저항
캐패시터
오실로스코프
멀티미터
3. 실험 기구 :
4. 실험 방
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충전과 방전 특성이해, 1차 과도 응답 회로의 시정수의 개념 이해,
RL. RC의 회로로부터 미분회로, 적분회로의 구현과 원리 이해를 실험적으로 확인한다.
2. 관련이론
1. 캐패시터의 전류, 전압특성(전압 충전/방전)
1) 충전회로의 원리 : 캐패시
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미분회로파형 (b) C = 0.001uF 일때 미분회로파형
즉 시상수가 작아짐에 따라 좀더 확실한 미분회로의 특성 곡선을 볼 수 있었다.
그러므로 시상수 조절을 위해 RC, RL 회로의 경우 두 경우의 각각 소자 간의 비율을 적절히 조절하여 시상수를 낮추
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적분 회로를 구현하여, 적당한 소자값 설정을 통해, 목적회로에서 원하는 파형으로 변환할 수 있음을 의미한다.
각 회로에서 커패시터와 인덕터는 시정수와 밀접한 연관을 가지고 있다. 시정수가 작을수록, 입력 전원 파형에 대한 충방전이
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미분 회로
-RC회로
Vo(t) = Ri(t) = R(dVc(t)/dt) R(dVi(t)/dt) for Vc(t) ≫ VR(t)
-RL회로
Vo(t) = VL(t) = L(di(t)/dt) = L(dVR(t)/dt) * 1/R 1/R(dVi(t)/dt) for VR(t) ≫ VL(t)
-적분
회로
-RC회로
Vo(t) = Vc(t) = 1/C ic(t) dt = 1/C VR(t)/R dt 1/RC Vi(t) dt for VR(t) ≫ Vi(t)
-RL회로
Vo(t) = VR
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2.1 구조 및 동작원리 2
2.2 등가회로 분석 3
2.3 실험장치 구성 및 방법 11
2.3.1 실험장치 구성 11
2.3.2 실험 방법 12
2.4 분석 사항 13
제 3 장 실험결과 분석 14
3.1 결과분석 14
제 4 장 결 론 18
4.1 결론 18
參考文獻 19
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crystal display <http://en.wikipedia.org/wiki/lcd_monitors> 제 1 장 LCD DISPLAY
1.1 LCD란?
1.2 구동원리
1.3 구조
제 2 장 LCD MODE
2.1 TN
2.2 IPS
2.2.1 S-IPS
2.3 VA
2.3.1 MVA
2.3.2 PVA
제 3 장 특성 비교
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(주)개념원리에 대한 재무제표 및 기업정보를 중심으로 분석한 상세보고서(종합신용등급, 현금흐름등급, Watch등급, 기업개요, 주요재무상황, 주요재무비율, 재무신용평정, 신용도 분석의견, 기업현황, 주요 주주현황, 경영진현황, 관계사현황,
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