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C =100kΩ × 330㎌ = 33(s)
C == = 330㎌
▶220(㎌) 커패시터가 없어서 330(㎌)커패시터를 사용해서 측정을 했기 때문에 220(㎌) 커 패시터의 오차율은 구할 수가 없다. 대신 측정한 330(㎌)커패시터의 오차율을 구했다.
Part 5. Charging Network (Parallel Capacitors)
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로 표기하라
(a)0.37[F] = 370000[pF] → 3,7,4
(b)270[F] = 270000000[pF] → 2,7,7
(c)56[F] = 56000000[F] → 5,6,6
(5)다음과 같이 색띠로 표시된 인덕터의 인덕턴스는 얼마인가?
(a)brown/black/red/silver(A/B/C/D순) → 10x10²±10%=900~1100[H]
(b)orange/brown/yellow/gold → 31x10⁴±5%=2945
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,3번 회로를 연결시켜보면
저항이 줄어있는 것을 확인할 수 있다.
따라서 1,2번회로와 2,3번회로의 연결상태인 저항은 반비례관계란 것을 확인할 수 있었다.
이번 실험에서는 커패시터(C), 인덕터(L)를 제외하고 실험을 수행하였는데
저항은 고
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R은 저항, L은 인덕터, C는 커패시터를 말한다.
우선 R과 L을 연결하는 회로를 만든다. 그리고 나서 주파수를 변화시켜가며 CH1, CH2의 전압을 교대로 관찰한다. 데이터 값을 보면 주파수가 점점 커질수록 전압은 점점 작아지는 것을 알 수 있다.
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커패시터
부도체 또는 유전체의 의해 분리된
두개의 도체판으로 구성된 회로소자
커패시터 전압,전류 그래프
전압, 전류동일 주파수 정현파
전압이 전류보다 위상차 90 늦다.
전압,전류 최대치의 비
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제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
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C언어로 작성한 성적합산 프로그램을 어셈블리어로 변경하고, 다시 기계어로 번역하였습니다. 이후 직접 설계한 SRAM에 기계어 파일을 넣어주는 과정을 Testbench에서 진행하였고, 타이밍도를 분석하며 적은 clock으로 계산된 것을 확인하였습니
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c바
라플라스로 XY 전달함수구하기
인덕턴스 에너지
환상솔레노이드 자계
기전력 자속으로 자기저항구하기 1.관리, 감독 없이도 스스로 업무를 처리하며 남들이 꺼리는 업무나 궂은일도 주도적으로 나서서 해결한다.
[자신이 공동 목표
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