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노튼의 정리와 테브난의 정리 중 어는 것을 사용해도 같은 해를 구할 수 있다는 것을 증명할 수 있다.
5. 실험방법
1. 테브난 등가회로
A. 그림 1-(b)처럼 회로를 연결한다.
B. A-B 단자 전압 VAB를 측정한다.
C. 그림 1-(c)처럼 회로를 연결한후, A-B 단
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회로를 해석하기 편한 방법을 사용해도 결과값은 항상 같게 나온다는 것을 알게 되었습니다. 1. 실험목표
2. 기구
3. 기초이론
(1) 키르히호프 법칙
(2) Noton 및 Thevenin
4. 측정방법
(1) 실험 1.
(2) 실험 2.
5. 주의 사항
6. 고찰
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법칙(Ohm's law)
(2) 테브난(Thevenin)의 정리
(2) 기본 회로
(3) 응용회로(중첩의 원리 적용, 아래 그림 참조)
(3) 노튼의 정리
3. 실험
*옴의 법칙, 테브난, 노오튼의 정리를 이용한 이론치 계산
1. RL1 = 1kΩ
2. RL2 = 1.5kΩ
3. RL3 = 2.2kΩ
4. RL4 = 3.3k
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노튼등가저항은 얼마인가? (주의 : 최대측정가능전류가 20mA 일 때, 전류계의 저항은 10Ω에 불과하였다.)
- 다음과 같은 노튼등가회로를 구성하면,
▲ 최고측정치가 2mA 일 때
▲ 최고측정치가 20mA 일 때
4. 실험 3에서 저항이 4개 있는 회로의 테
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1
2
3
4
5
평 균
I1
1.460
mA
I2
0.730
mA
I3
0.730
mA
▲이론치
2) 측정할 수 있는 최대전류를 20mA로 multimeter를 설정해 놓고 위 실험을 반복한다.
측 정 치
이론치
비 고
1
2
3
4
5
평 균
I1
1.460
mA
I2
0.730
mA
I3
0.730
mA
3. 등가회로
1) 1/4W 짜리 저항 4개(1㏀에서 10㏀
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