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회로 연결이 거의 없음.
.많은 열을 발생하지 않음(장점).
.열에 민감함(단점).
트랜지스터 구조
.두 개의 PN 접합으로 나누어지는 도핑된 3개의 반도체 영역으로 구성되어 있다.
.에미터(Emitter) > 컬렉터(Collector) > 베이스(Base)
[불순물
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1= { 1+ } over { }
= { } over {1+ }
그리고
(1+) = , + = , = (1- ) ,
= { } over {1- }
의 관계가 있다.
3.공통 콜렉터 (C-C)회로
에미터에 저항 RE를 접속하여 출력 전압을 에이터에서 취하는 회로 형태로 일명 에미터 폴로워라고도 한다. 전원 VCC는 저항 이거
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실험상 0.9-1.0의 값을 가지게 되었는데 이것은 실제 이론상 값인 0.9-1.0과 일치하다는 것을 확인 할 수 있었다. 실험 4. 트랜지스터 특성 I (결과 레포트)
3. 실 험 과 정
4. 실 험 결 과 사항
5. 예비보고 사항 문제
5. 검토 및 논의
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서적]
전자공학개론 정림사. 저자 김종훈 1998년 4월 20일 발행.
전자회로. 희중당. 김봉열 임제탁외. 1994년 12월 10일 발행.
Electronic Device and Circuit Theory PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky 트랜지스터 특성 곡선Ⅰ
트랜지스터 특성 곡선Ⅱ
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공통에미터 증폭기의 특성
☞ 높은 전압이득을 가진다.
☞ 비교적 높은 입력 임피던스를 가진다.
☞ 높은 전력이득을 가진다.
6. 공통 에미터 증폭기에서 부하저항이 제거되면 (전압이득은 감소)된다.
7. 그림 7-11의 회로에서 직류 및 교류등가
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