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저항은 누설 전류 때문에 정확하게 측정하기 어렵다. 다시 말해, 만약 RX가 크다면 전기적 절연체에서 누설 전류는 브리지 회로의 가지에 흐르는 전류에 필적할 만하다.
휘트스톤 브리지는 저항값 측정 외에도 다른 용도로 사용될 수 있다. 브
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전자회로 1~3장 내용을 다시 한번 생각해 보는 계기가 되었다.
4.참고 문헌
[1] Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, \"Microelectronic Circuits\", 한티미디어, p156~205, 2005[2]최평 외 3인, “PSpice 기초와 활용“, 복두출판사, p27~296, 2004
5. 참고 사이트
www.samwhatech.co.kr
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실험] 기본논리게이트
1. 목 적
2. 이 론
2.1 NOR 게이트
2.2 AND 게이트
2.3 OR 게이트
2.4 OR 게이트
2.5 NAND 게이트의 응용
2.6 NOR 게이트의 응용
2.7 NOR 게이트의 응용
2.8 XOR 게이트의 응용
3. 실험기구
4. 실험회로도
5. 실험절차
6. 참
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나타나지 않았다.
C1이 단락 됐을 때는 위에 고찰에서 다뤘듯이 D1이 도통되어 일반적인 정류기 회로 파형을 나타내게 된다. 충, 방전 역할을 제대로 못하게 되고 최대전압도 줄 것이다. 1. 설계 목적
2. 관련 이론
3. 설계 내용
4. 연구과제
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리액턴스 값이 커지고 주파수가 작아지면 커패시터의 리액턴스 값이 커져서 주파수에 따라 각각의 특성을 가지게 됩니다.
2.개요
- 실험 목적
(1)직렬 RLC회로에서 주파수 변화에 따른 임피던스와 전류의 변화를 살펴본다.
3.시뮬레이션
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회로에서 주파수에 반비례하므로 전류는 주파수에 비례한다. 즉 인덕터와 성질이 반대다. 즉, 인덕터에서는 전압의 위상이 전류를 앞서지만, 캐패서터에서는 전류의 위상이 전압을 앞선다.
3. 실험 준비물
기기
■ DMM
■ 함수발생기
저항( 1/2-W
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회로 실험에서 각각의 저항에 전압이 일정한 비율로 나누어지는 회로이다.
직렬회로의 전체 저항은 각 저항을 모두 합한 것인데 이번실험에서도 마찬가지로 Rac=Rab+Rbc이다. 저항이 누누어져 전압이 분할되어 있더라도 각각에 걸리는 전압을
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실험 이였지만 실제 실험 소자의 값은 실리콘 소자와 비슷하지 않았던 것 같다. Ge 다이오드는 범용적으로 사용되지 않아서 역시 실험실에서 실습할 수 없었다. 하지만 다이오드의 특성을 실험하기엔 충분한 결과를 확인 할 수 있었고 직접 특
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전자회로 설계 보고서
1. 목적
어떤 주파수대는 쉽게 통과하고 다른 주파수대는 통과하기 힘들게 만든 회로를 필터라 하며, 이에 4가지 필터 (Low Pass , High Pass , Band PassFilter , band-stop Filter) 에 관해 이론적인 배경으로 실질적인 시뮬레이션으로
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3) 테브닌 등가회로
① 등가 회로로 고치려고 하는 회로를 본래의 회로망으로부터 떼어 낸다.
② 개방 회로 전압 를 구한다.
③ 회로에 존재하는 모든 독립 전원들을 제거한 다음, 단자에서 회로 쪽으로 들여다본 저항, 즉 를 구한다.
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