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다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라.
VT(Si) =
고찰
Si와 Ge다이오드의 특성을 확인하기 위하여 실시한 실험 이였지만 실제 실험 소자의 값은 실리콘 소자와 비슷하지 않았던 것 같다. Ge 다이오드는 범용적으로
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다이오드의 시험법
멀티미터를 이용하여 다이오드의 동작 여부를 검사할 수 있다. 즉, 멀티미터를 저항측정 상태로 설정하여 다이오드의 저항을 측정함으로써 이상 유무를 확인할 수 있다. 이때, 저항의 측정범위를 너무 낮게 잡으면 과도한
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실험목표
1. 접합 다이오드에서 전류에 대한 순방향, 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
2. 접합 다이오드의 전압-전류특성을 실험적으로 측정하고 그래프를 그려본다.
3. 옴메타로 접합 다이오드를 검사한다.
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다이오드 저항을 읽는다. 옴메타 내의 전지는 극성을 가지므로 옴메타의 검사리드도 역시 극성을 나타낼 것이다. 옴메타리드의 올바른 접속 위치(극성)에서의 측정값을 기록한다.
V-I 특성
6. 다이오드를 회로에 다시 연결하여 순방향 바이어
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다이오드나 저항을 연결할 때 다리 부분을 각기 다른 단락에 연결하지 않으면 정 정상적으로 연결되지 않는 점을 알게 되었다.
3. 실험 결과로부터 실험 전 알아 보았던 이론적 특성과 차이를 보이는데 다이오드에 역방향으로 전압을 걸어주
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