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+ 1.55 +
(3)에서 세운 2개의 식을 이용하여 loop 전류 를 구하라.
① = ( 1.02 )[mA]
② = ( 0.51 )[mA] [예비 Report] -2 pages
1. 실험 목적
2. 실험 기구
3. 배경 이론
-Kirch Hoff's Voltage Law
-Solution
[결과 Report]- 3 pages
1. 실험 Data
2. 결론 및 정리의 증명
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A
2.424mA
0.423mA
0.424mA
3. 분석
실험①
- 직렬회로에서 저항 R1, R2, R3 에 걸린 전압은 각각 15.074V, 1.524V, 1.902V인데 전체 전압은 18.513V로써 각저항에 걸린 전압의 합이라는 것을 알 수 있었다.
실험②
- 병렬로 구성된 회로에서 각저항과 저항에 흐르
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파형
2. AND 게이트
AND 게이트는 모든 논리 기능을 형성하기 위해 조합될 수 있는 기본 게이트 중 하나이며, 두 개 또는 그 이상의 입력을 가질수 잇는 논리 곱셈을 수행한다. AND 게이트는 두 개 또는 그 이상의 입력과 하나의 출력으로 구
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[‘회로 정리와 변환 기초회로실험 보고서‘ 본문 내용 中 발췌]
Ⅰ. 실험목적
- 테브난의 정리를 적용하는 방법을 익힌다.
- 노튼의 정리를 익힌다.
- 최대 전력 전달 이론을 익힌다.
<중 략>
위의 회로는 그림 1-1의 회로를 오어
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한 실험이었는데 인덕터와 커패시터가 무엇인지 좀 더 알 필요가 있다고 생각한다.
인덕터 : 저항·콘덴서·전자관·트랜지스터·전원(電源) 등과 함께 전기회로를 이루는 가장 중요한 부품 가운데 하나이다. 구리나 알루미늄 등을 절연성 재
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실험장치의 전압센서를 이용하여 회로의 축전기 양단의 전압을 측정하여 회로에서의 축전기의 역할을 설명할 수 있다.
2.배경이론
(1)축전기(capacitor)
주로 전자회로에서 전하를 모으는 장치이다. 진공 축전기, 공기 축전기, 금속화종이 축전기
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회로보다 힘들었다. 가변 저항을 사용하여 전압과 전류값도 완벽 하였다.
그래도 테브낸의 정리에 대해 이해를 할수 있어 좋았다. 실험은 이해하기 힘들었지만 나름 만족한 실험 인 것 같다.
7.참고문헌
백과사전, 학습용 프린트, 기초 전자회
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회로의 기초, 김재요 저, 두양사, 2006, p.161 ~ p.187
집적회로 설계를 위한 반도체 소자, 이형옥 편저, 남두도서, 2002, p.255
전자회로의 기초, 강중순 외 3인 공저, 북스힐, 2002, p.53 ~ p.58
기초전자회로, 정용성 저, 도서출판정일, 2005, p.311 1. 실험
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실험 방법
1) 다음과 같은 회로도를 그린다.
3) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 출력한다.
참고문헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
이석목, 2003년 1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
홍순관
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통해 흐르고 나머지는 를 통해 흐른다. 가 감소하면 부하저항에 흐르는 부하전류는 증가하고 다이오드를 지나가는 전류는 감소한다. 지너 다이오드는 지너 다이오드에 흐르는 전류가 최솟값에 도달할 때까지 정전압을 유지한다.
입력전압이
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