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ET와 BJT의 차이점을 알아보고, R1과 R2값을 결정한다.
FET와 BJT는 동작 원리가 전혀 다르다. FET는 전압 제어소자인데 대하여 BJT는 전류 제어소자이다. BJT와 비교해서 FET의 주요 특징으로는 입력 임피던스가 높고, 전류성 잡음이 매우 작고, 혼변
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rmnBVmin=25
.op
.tran 0 0.5m
.probe
.end
4. 실험에 사용될 TR 및 IC 조사
2N5485 데이터시트에 칩에 관한 모든 내용이 기록되어 있다. 1. 관련 이론
2. 예비보고서
3. P-SPICE 시뮬레이션
4. 실험에 사용될 TR 및 IC 조사
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출력 전류는 증가한다. 이 두 가지 형태의 소자는 p 채널 MOSFET과 n채널 MOSFET의 두 형태를 갖는다.
증가형 MOSFET
JFET와 함께 MOSFET도 드레인전류 ID가 게이트 전압에 의해 제어되는 전계효과 트랜지스터이다. 그러나 MOSFET와JFET는 구조나 동작에서
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표면 전하는 주로 n형 소오스와 드레인으로부터 얻는 전자이며, 반정층(inversion later)을 형성한다. 이 반전층이 채널로 작용하게 되고, 가 임계값 를 넘어서 증가함에 ◎ 예비 보고서
▶ 실험의 목표
▶ 실험 이론
◎ 결과 보고서
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아트-소스 사이의 전압에서 드레인-소스 사이 전압의 변화가 드레인전류를 변화시키는 함수로서 이러한 곡선은 JFET드레인 특성곡선이라고 한다.
3. 그림 19-3의 곡선이 평평해지기 시작하는 점에서 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VP (c) VGS(off) (d)
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