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FET는 온도가 올라가면 반도체특유의 특성인 -2.3mV/도 라는 특성이 생기는데 가령 base 전압을 조절하여 적당한 bias가 되도록 조정해 놓았다고 해도 TR자체가 발열한다든지, 주변 온도가 올라가면 Vbe의 특성이 -2.3mV/도 로 낮아지고, 그에 따라 base
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전기장 효과 트랜지스터는 FET(Field Effect Transistor)라고도 한다. 전기장 효과 트랜지스터의 기본적인 개념은 1930년대에 소개되었으나 소자의 실제적인 실현은 1960년대에 이루어졌다.
1970년대 후반 이후로 전계효과 트랜지스터의 일조인 MOS FET가
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전기장 효과 트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
3) JFET의 소신호 등가 모델(FET와 BJT의 차이점)을 알아보고, R1과 R2 값을 결정한다.
4.
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서론
II. 본론
A. 전계효과 트랜지스터(FET)
i. FET (field effect transistor)
ii. FET의 동작
B. 접합형 FET (JFET)
i. JFET(junction FET)의 구조
ii. JFET의 동작원리
iii. JFET의 동작
(a) 고정 바이어스 회로
(b) 자체 바이어스 회로
III. 결론
IV. 참고사항
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효과 트랜지스터(JFET)
JFET의 특성이 있는데, 그중에서 우리가 주목할 만한 것은 높은 입력 저항이다. 그러나, 불행하게도, MOSFET가 JFET보다 한층 더 높은 입력 저항을 가진다. 이점과 MOS 트랜지스터의 다른 여러 장점들 때문에, MOS 기술이 초대규
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