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게이트 전압의 크기와 관계없이 일정하다. 이 값을 핀치오프 전압이라고 하는데 포화가 높은 전압에서 일어난다면 트랜지스터에서 핀치오프 전압이 높아질 수 있다.
2.4 자기 바이어스된 JFET 회로의 입력 임피던스가 게이트 저항값과 근사적
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JFET는 주로 소신호 응용에 사용된다. JFET는 2VGS보다 약간 높은 Vin에 의하여 발생되는 전압변동의 극히 일부만 허용할 수 있다.
⑤ 전력이득을 계산하고 dB로 환산하여라.
PG = AV2×Zin/RL (단, RL = 10㏀)
⑥ 계산값 및 측정값을 표 16-4에 기입하여라.
P
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증폭기
Av
Zin
VOP-P(max)
전력이득
계 산 값
4.49
100k
428.94
측 정 값
5.44
91.3k
18.75V
토의
이번 실험에 사용한 JFET는 2sk30A이다.
스위치 대신 회로를 오픈하고 <그림 19>와 같이 회로를 연결 하였다. Vgs가 0이 되지 않아 오픈 상태로 Vgs=0V일때를 실험
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드레인 전류는 같아진다. 전류원은 효과적으로 의 영향을 배제시키며 비록 각 Q점에서의 가 다르더라도 드레인 전류에는 더 이상 영향을 미치지 못한다.
공통 소스 증폭기 회로도
공통 소스 증폭기 시뮬레이션 1. 목 적
2. 이 론
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증폭기를 설계하면 좋은 이득 고입력 저출력 저항을 가지는 증폭기를 설계할 수 있습니다,
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET 공통 게이트 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시
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