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트랜지스터는 반도체 다이오드의 기능을 포함시키면 증폭발진스위칭정류검파 등의 기능을 가지기 때문에 진공관과 다음과 같이 비교된다. 장점으로는 pnp와 npn의 두 가지 종류가 있는 것, 저전압소전력으로 동작시킬 수 있는 것, 형태가 매우
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FET는 온도가 올라가면 반도체특유의 특성인 -2.3mV/도 라는 특성이 생기는데 가령 base 전압을 조절하여 적당한 bias가 되도록 조정해 놓았다고 해도 TR자체가 발열한다든지, 주변 온도가 올라가면 Vbe의 특성이 -2.3mV/도 로 낮아지고, 그에 따라 base
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트랜지스터의 회로상 표시 기호는 아래 그림과 같다.
표시 기호 중 화살표시의앞 부분이 에미터이며 이는트랜지스터의 전류의 흐르는 방향을 가리키는 것이다.
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
① FET는 접합형과 절연 게이트형(MOS형)이
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차단시켜 전기적 신호가 실리콘 나노와이어에만 나타나도록 하고 , 마이크로검출 소자를 이용하여 검출용액을 공급하는 구조이다. (1) FET의 의미
(2) FET의 동작원리
(3) FET의 종류
(4) FET의 장·단점
(5) 접합형 FET에 흐르는 전류
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제어한다.
MESFET(Metal Semiconductor FET) : 게이트 부분이 금속 전극과 반도체에 집적 접합되어 있는 것이다. 1. 트랜지스터
2. FET
3. MOS-FET 구조
4. MOS-FET 종류
5. MOS-FET 동작원리
6. MOS-FET 정량적인 분석
7. 3D 트랜지스터
8. 마침
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