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-소스 사이의 전압에서 드레인-소스 사이 전압의 변화가 드레인전류를 변화시키는 함수로서 이러한 곡선은 JFET드레인 특성곡선이라고 한다.
3. 그림 19-3의 곡선이 평평해지기 시작하는 점에서 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VP (c) VGS(off) (d) 앞의
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IDSS / | VGS(off) | 으로 500㎲=2 × IDSS / | -3V| 을 이용해 구해 보면 7.5mA의 값이 나오게 된다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 20장에 대한 복습문제
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회로부터 를 구하여 얻을 수 있는데, 이면
로 주어진다.
3. 시뮬레이션
(1) 회로도
(2) 시뮬레이션 결과
(3) 실험 회로
(4) 1K Hz
(5) 10K Hz
(6) 100k Hz
(7) 500k Hz
시뮬레이션 결과 JFET 회로는 반전 증폭기의 특성이 나타났는데 그래프 상으로 전압이득은
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트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
3) JFET의 소신호 등가 모델(FET와 BJT의 차이점)을 알아보고, R1과 R2 값을 결정한다.
4. 실험 결과
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다이오드의 특성에 대해 알아 본 뜻깊은 실험이었다. 예비보고서
1. 실험의 목적
2. 실험을 위한 기초 이론
3. 실험방법
4. P-spice 시뮬레이션
결과보고서
1. 실험의 목적
2. 실험용 기기 및 부품
3. 실험 결과
4. 고찰 및 토의
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