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IDSS / | VGS(off) | 으로 500㎲=2 × IDSS / | -3V| 을 이용해 구해 보면 7.5mA의 값이 나오게 된다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 20장에 대한 복습문제
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-소스 사이의 전압에서 드레인-소스 사이 전압의 변화가 드레인전류를 변화시키는 함수로서 이러한 곡선은 JFET드레인 특성곡선이라고 한다.
3. 그림 19-3의 곡선이 평평해지기 시작하는 점에서 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VP (c) VGS(off) (d) 앞의
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회로부터 를 구하여 얻을 수 있는데, 이면
로 주어진다.
3. 시뮬레이션
(1) 회로도
(2) 시뮬레이션 결과
(3) 실험 회로
(4) 1K Hz
(5) 10K Hz
(6) 100k Hz
(7) 500k Hz
시뮬레이션 결과 JFET 회로는 반전 증폭기의 특성이 나타났는데 그래프 상으로 전압이득은
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외의 구간에서는 R1과 R2로 인해 약 1/2 기울기를 유지하며 출력 전압이 증가했다. 피크값은 2.9V로 비슷하였다. 전자회로실험 예비보고서
4장. 파형 정형 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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