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JFET를 과도한 게이트전압으로부터 보호하기 위해
⇒ 이 실험에서 순방향 전달컨덕턴스를 구하기 위해서는 다이오드의 게이트와 소스전합을 순방향 바이어스로 할 필요가 있다.
4. 그림 20-3의 곡선으로 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VGS(off) (c) g
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특성을 그림 29-3에 나타내었다.
전달곡선의 중요한 두 점은 와 의 값이다. 이 두 점이 고정되면 전달곡선은 다음 식으로부터 그릴 수 있다.
전달특성에서 일 때 이고, 일 때, 임을 주목하라. JFET의 유용한 파라미터는 다음과 같다.
① : 드레인
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JFET 소자에서 Case단자는 사용되지 않았다.
- 이론에서 배운 Short Hand Method를 이용해 그린 전달특성곡선이 실제 측정값을 통해 얻은 출력곡선에서 유도한 전달특성곡선과 매우 유사하여, 간략화 방법도 회로해석을 할 때 사용할 수 있는 것을 알
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전달곡선과 교차할 때까지 부하선을 연장하라. 전달특성곡선과 부하선의 교차점에서의 와 의 값을 기록하라.
④전압 의 이론치를 계산하고, 기록하라.
⑤전압 를 측정하고, 기록하라.
⑥식(17-1)을 이용하여 측정치와 계산치의 사이의 오차율
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JFET Amplifier-1
Vdd 4 0 15
R1 3 8 1MEG
R2 4 3 3MEG
R3 8 0 4k
Rs 6 0 22k
Rd 4 5 33k
Cs 6 0 10u
J 5 3 6 J2N5485
.model J2N5485NJF(Beta=1.039m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=4.25m Vto=-2.5
+Vtotc=-2.5m Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=311.7u
+Vk=243.6 Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=7
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