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회로를 수정하면 가변저항이 최소화 되어있을 때 강한 전류가 흐르게 되어 과부화가 될 수 있는 것을 알게 되었다.
-에 역방향 바이어스를 인가하여야 제대로 측정이 된다. < JFET 특성 >
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론개요
4. 실험순서
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회로를 만들 수 있다.
7. 전압 분배 바이어스 회로에서 게이트 전압()은 핀치오프 전압()의 절대값과 같다.
8. 다른 조와 JFET을 바꿔 실험한 후 결과를 확인하면 같은 소자라도 특성이 다 다르기 때문에 다른 실험 결과 값이 얻어진다. (트랜지스
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회로에 사용됨.
극성이 없고 용량이 작아서 고주파 대역에서 주로 사용됨.
4.실험 내용 및 결과
1) 달링턴 이미터 플로어 회로
a. 그림 23-1회로의 직류 바이어스 전압과 전류를 계산하라. 아래에 기록하라.
전압 이득과 입출력 임
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JFET에서 흡수되는 전력을 구하라.
답 : 12.03mW
8. 드레인-소스 전압이 1/2(VDD) 값에서 ±10% 이내로 결정되어야 할 경우, 주어진 이 회로는 이 조건을 만족하는가?
답 : 만족한다.
이론
PSpice 모의실험 13-2
1. 드레인 전류를 구하라.
답 : 3.557mA
2. 드레인
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PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky Ⅰ목적
(1) JFET 증폭기의 바이어스 회로를 고찰한다.
(2) FET 소오스 접지 증폭기의 특성을 조사한다.
(3) FET 드레인 접지 증폭기의 특성을 실험한다.
Ⅱ이론
(1)바이어스 회로
(2) 접지방식에 따른
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