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1. 실험 개요
MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전
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실험 순서
이번 클리핑 회로 실험은 병렬로 회로를 구성하고 먼저 교류전압만을 인가하여 다이오드의 순방향,역방향 2개와
다이오드와 직렬로 추가로 직류전압을 주어 다이오드와 직류전압 극성을 바꿔가며 4개까지 총 6개의 회로 파형을
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회로이론, 문운당
윤현민·이형기(1995) : 기초반도체공학
일렉트로닉스 : MALVINO, 대영사
김태중 : 일반전자공학실험, 상학당
이성호·최창규 역 : 전자회로실험, Pearson International Edition 5th ed
조세황(1996) : 최신 전자 회로, 진영사
Greg Parker, 김종
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실험은 우리 조 뿐만 아니라 대부분의 조가 실험이 원활하게 진행되지 않아 꽤나 시간이 오래 걸렸다. 사실 이제까지 멀티미터와 전원공급기 등의 실험기계들은 많이 사용했고, 브레드보드로 회로를 구성하는 것은 아직도 낯설긴 하지만, 조
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트리거 이론은 이동통신의 기지국간에도 이용됩니다.
3. 슈미트 트리거 시뮬레이션 수행결과
1. 출력값 확인한 경우
2. 입출력 값 확인한 경우 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 슈미트 트리거 시뮬레이션 수행결과
4. 시뮬레이션 결과
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회로는 그 용도나 목적에 따라 다양한 방식이 있으며 설계시 다음사항을 기본적으로 검토하는것이 좋습니다.
출력파형 : 정현파，구형파，삼각파，왜율
발진주파수 : 저주파 / 고주파，고정형/가변형，정밀도，안정도
신 뢰 성 : 온도특성
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실험으로 봐서 부품상의 문제는 아니었던 것 같고, 너무 복잡한 회로라서 회로를 브레드보드에 옮길 때, 이해를 잘못했거나 ground를 엉뚱한 곳에 잡게 되었거나 한 것 같다. 이번이 마지막 회로실험이었는데, 기초회로나 전자회로에서 배웠던
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가능한 모든 논리회로는 NOR이나 NAND 만으로 표현 가능하기 때문이다. ) 부울대수의 정리
예비 보고서
1. 실험 목적
2. 기본 이론
3. 실험 방법
4. 실험 기기
5. 참고 문헌
결과 보고서
1. 결과값
2. 고찰
3. 문제
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실험 4.1의 결과를 같은 그래프에 그려서 제출하라. 비교, 분석하라. 공진주파수, 반전력주파수, 대역폭, Q-factor의 이론치와 실험치를 비교하라. 오차는 몇 %인가 오차의 원인은 무엇이라 생각하는가? 11장 예비 레포트…………………………
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한다.
5. 참고문헌 및 출처
일반물리학실험 홈페이지 : http://164.125.150.22/xe/ 교류회로 예비보고서
1. 실험목적
2. 실험원리
3. 실험 기구 및 재료
4. 실험방법
실험1. R 회로
실험2. C 회로
실험3 . R-C 회로
5. 참고문헌 및 출처
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