실험- MosFet 기본특성

소개글

실험- MosFet 기본특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 개요
2. 실험 기자재 및 부품
3. 배경 이론(실험 이론)
4. 실험 절차 및 Pspice Simulation 결과
5. 고찰
6. 참고문헌

본문내용

1. 실험 개요
MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기(Function generator), 2n7000 (NMOS) 1개, 저항, 커패시터, FQP17P10(PMOS) 2개 (모의실험은 FDC6322CP 사용)

키워드

전자회로실험,   레포트,   전자회로,   회로,   Pspice