[전자공학실험] MOSFET 기본 특성 예비

소개글

[전자공학실험] MOSFET 기본 특성 예비에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 제목
　1) MOSFET 기본 특성
2. 예비보고사항
3. PSPICE Simulation
　1) 실험1.1
　1) 실험1.2

본문내용

였는데 위의 시뮬레이션 결과를 보면 전압이 1.4, 1.6V일때는 결과가 거의 보이지 않다가. 1.8V와 2.0V는 보이기 시작하였다. 이것으로써도 위에서 살펴본 문턱전압이 1.7V정도라는 것을 확인하였다. 그리고 를 좀 더 범위를 늘려서 측정하였더니 트라이오드 영역과 포화영역의 그래프가 잘 나타나도록 결과가 나왔다.
1) 실험1.2
실험 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 이번 실험은 게이트와 드레인을 쇼트시켜서 전압이 같아지도록 만들어준 회로이다. 그러므로 가 되므로 이 회로는 항상 포화영역이 되는 것을 알 수 있다. 를 증가해줌에 따라서 1.7V부근에서 이것역시 급격히 증가하게 되는데 이때가 문턱전압이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 가 되고 의 식에 숫자를 넣으면 은 가 되는 것을 알 수 있었다.

키워드

전자공학실험,   예비,   MOSFET 기본 특성,   MOSFET,   PSPICE Simulation ,   실험,   드레인전류